Д7Г характеристики: Диод Д7 — DataSheet

Диод Д7 — DataSheet

Корпус диода Д7

Описание

Диоды германиевые, сплавные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 2 г.

Изгиб и пайка выводов допускаются не ближе 10 мм от корпуса прибора.Допускается последовательное соединение диодов при условии
шунтирования каждого диода резистором сопротивлением 100 кОм на каждые 100 В. Диоды допускают работу на емкостную нагрузку при условии, что среднее значение тока через диод не превышает 0,5Iпp, ср max.

 

Параметры диода Д7
Параметр Обозначение Маркировка Значение Ед. изм.
Аналоги Д7Ж 1N443
Максимальное постоянное обратное напряжение. Uo6p max, Uo6p и max Д7А 50 В
Д7Б 100
Д7В 150
Д7Г 200
Д7Д 300
Д7Е 350
Д7Ж 400
Максимальный постоянный прямой ток. Iпp max, Iпp, ср max, I*пp и max Д7А 300
мА
Д7Б 300
Д7В 300
Д7Г 300
Д7Д 300
Д7Е 300
Д7Ж 300
Максимальная рабочая частота диода fд max Д7А 2. 4 кГц
Д7Б 2.4
Д7В 2.4
Д7Г 2.4
Д7Д 2.4
Д7Е 2.4
Д7Ж 2.4
Постоянное прямое напряжение Uпр не более (при Iпр, мА) Д7А 0.5 (300) В
Д7Б 0.5 (300)
Д7В 0.5 (300)
Д7Г 0.5 (300)
Д7Д 0.5 (300)
Д7Е 0.5 (300)
Д7Ж 0. 5 (300)
Постоянный обратный ток Iобр не более (при Uобр, В) Д7А
100 (50)
мкА
Д7Б 100 (100)
Д7В 100 (150)
Д7Г 100 (200)
Д7Д 100 (300)
Д7Е 100 (350)
Д7Ж 100 (400)
Время обратного восстановления — время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения tвос, обр Д7А мкс
Д7Б
Д7В
Д7Г
Д7Д
Д7Е
Д7Ж
Общая емкость Сд (при Uобр, В) Д7А пФ
Д7Б
Д7В
Д7Г
Д7Д
Д7Е
Д7Ж

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Д7А, Д7Б, Д7В, Д7Г, Д7Д, Д7Е, Д7Ж

Диоды германиевые сплавные. Предназначены для выпрямления переменного тока частотой 50 Гц. Выпускаются в металлическом сварном корпусе. Масса диода не более 1,4 г.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение не более …………………………….0,5 В

Средний обратный ток при UОБР = UОБР МАКС не более….100 мкА Емкость диодов при UОБР = 10 В

не более……………………………………………..……………20 пФ

 

Предельные эксплуатационные данные

Параметры Д7А Д7Б Д7В Д7Г Д7Д Д7Е Д7Ж
Обратное напряжение (ам­плитудное значение) не более, В: при температуре от              
— 55 до +20° С
при 50° С
при 70° С

Средний выпрямленный ток не более:

при температуре от -55 до +55°С……………. …………..….300 мА

при 70° С ………………..…..…………………………………..210 мА

Диапазон рабочей тем­пературы окружающей среды………………. ………………………………………………………..от – 55 до +70°С

Относительная влажность при 40° С……………………до 98 %

Давление окружающего воздуха……………..от 7∙102 до 2∙105 Па

Постоянные и ударные ускорения ……..……..…………..до 120g

Вибрационные ускорения в диапазоне частот 10 — 600 Гц ……………………………………………………….……………до 10g

Д226Б, Д226В, Д226Г, Д226Д

Диоды кремниевые сплавные.

Могут применяться вместо диодов Д7А—Д7Ж в схемах, где ве­личина прямого падения не является критической.

Выпускаются в металлическом сварном корпусе и имеют гибкие выводы. Масса диода не более 2 г.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при 20 и 80° С не более…….1В

Средний обратный ток не более:

при + 20 и — 60° С………………………………….

………….100 мкА

при 80° С…………………………………………………………300 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение (ампли­тудное значение), В,

при температуре: От — 60 до + 50°С при + 80 °С
для Д226Б ………………………………………400…………………300

для Д226В ……………………………………….300…………………200

для Д226Г ……………………………………….200…………………150

для Д226Д ………………………………………100….………………70

Средний выпрямленный ток не более:

при температуре от — 60 до +50°С……………………………..300 мА при 80° С……………………………………………………………..200 мА

Диапазон рабочей температуры окружающей среды до + 80 °С


Узнать еще:

Вольт-амперная характеристика — диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3

Вольт-амперная характеристика — диод

Cтраница 3

Что называется вольт-амперной характеристикой диода.  [31]

Какой вид имеют вольт-амперные характеристики диода и стабилитрона.  [32]

Поэтому рабочим участком вольт-амперной характеристики диода ( рис. 11.4) является участок в окрестности начала координат. Вблизи точки иа О внутреннее сопротивление Rt открытого диода достаточно велико. Достаточно большое по величине нелинейное внутреннее сопротивление диода оказывает существенное влияние на общее сопротивление цепи Rt R, вследствие чего суммарное сопротивление также имеет нелинейный характер. При увеличении амплитуды входного напряжения внутреннее сопротивление открытого диода уменьшается и поэтому происходит перераспределение рассеиваемой на сопротивлениях Rt и R энергии. При этом относительная доля передаваемой на выход детектора энергии возрастает, что приводит к постепенному увеличению коэффициента передачи напряжения детектора.  [33]

Рабочим является участок вольт-амперной характеристики диода ( рис. 4.9) с резким нарастанием тока / с — от значения / 1 ( соответствующего началу лавинного пробоя, до тока / 2, определяемого максимально допустимой мощностью рассеяния в диоде. УС оказывается малым даже при заметном изменении тока / с в стабилитроне как при колебании t / BX так и при изменении RH.  [34]

В результате исследования вольт-амперных характеристик кар-бидокремниевых диодов в диапазоне температур ( — 70) — ( 500) С было установлено, что они качественно согласуются с теорией, учитывающей инжекцию носителей в сильнолегированные области, однако при температуре ниже 100 С наблюдается расхождение между рассчитанными и измеренными величинами.  [35]

В результате исследования вольт-амперных характеристик кар-бидокремниевых диодов в диапазоне температур ( — 70) — ( 500) С было установлено, что они качественно согласуются с теорией, учитывающей инжекцию носителей в сильнолегированные области, однако при температуре ниже 100 С наблюдается расхождение между рассчитанными и измеренными величинами. Такое расхождение не является неожиданным, так как при расчете не принимался во внимание захват носителей центрами прилипания. Однако, как указывалось в [7], учет носителей на ловушках необходим хотя бы для того, чтобы оправдать применимость диффузионной теории для описания явлений в компенсированных слоях SiC высокого удельного сопротивления, в которых диффузионная длина дырок очень мала ( вследствие низкой подвижности и малого времени жизни), а дебаевская длина экстремально велика.  [36]

Этот график называется вольт-амперной характеристикой диода. На рис. 2 — 12 изображена типичная вольт-амперная характеристика диода, используемого в качестве детектора и выпрямителя.  [38]

На рис. 11.2 показаны вольт-амперные характеристики диода — зависимость анодного тока / а от напряжения Ut между анодом и катодом при разных токах накала / нак.  [39]

На рис. 11.2 показаны вольт-амперные характеристики диода — зависимость анодного тока / д от напряжения U между анодом и катодом при разных токах накала / нак.  [40]

На рис. 25 показаны усредненные вольт-амперные характеристики диода типа Д7Ж при температурах окружающей среды — 50, 20, 50 и 70 С.  [42]

Таким образом, построение вольт-амперной характеристики диода в полулогарифмическом масштабе может дать информацию относительно возможных механизмов прохождения тока. Надо учесть, что прямолинейные участки на этой кривой могут плавно переходить один в другой, так что определить их границы точно не представляется возможным. Иногда некоторые участки отсутствуют. Так, для некоторых кремниевых диодов участок, соответствующий рекомбнкацнонному току, может сразу перейти в участок, соответствующий высокому уровню ннжекции.  [44]

В результате получают семейство вольт-амперных характеристик диода, называемых также анодными характеристиками.  [45]

Страницы:      1    2    3    4    5

D1G-D7G datasheet — выпрямитель с пассивированным стеклом 1.0a

1N6792 : от 5 до 100 ампер. Выпрямитель Шоттки. Барьер Шоттки из вольфрама / платины для очень низкой VF Пассивированная оксидом структура для очень низких токов утечки Защитное кольцо для повышенной способности к обратной энергии Эпитаксиальная структура минимизирует прямое падение напряжения Герметичный низкопрофильный силовой агрегат из керамики для поверхностного монтажа Низкая индуктивность корпуса Очень низкое тепловое сопротивление Доступно.

2SC5271 : Кремниевый NPN тройной диффузный планарный транзистор. Кремниевый NPN-тройной диффузионный планарный транзистор s Абсолютные максимальные характеристики (Ta = 25C) Symbol VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg to +150 Unit C Применение: Резонансный импульсный регулятор и символ общего назначения ICBO IEBO V (BR) CEO hFE1 hFE2 VCE (sat) VBE ( sat) fT Условия COB VCB = 10 В, f = 1 МГц.

2SK2025-01 : N-канальный МОП-транзистор. Высокоскоростное переключение Низкое сопротивление в открытом состоянии Отсутствие вторичного пробоя Низкая приводная мощность Высокое напряжение VGS = 30 В Гарантия Устойчивость к лавинам Применение Импульсные регуляторы ИБП DC-DC преобразователи Усилитель мощности общего назначения Абсолютные максимальные характеристики (Tc = 25C, если не указано иное) Позиция Напряжение сток-источник Постоянный ток стока Импульсный ток стока Непрерывный.

BC817-25 / T1 : Транзистор Сот-23. Высокий ток (макс. 500 мА) Низкое напряжение (макс. 45 В). ПРИМЕНЕНИЕ Коммутация и усиление общего назначения. Транзистор NPN в пластиковом корпусе SOT23. Дополнение PNP: BC807. ТИП МАРКИРОВКИ BC817 BC817-16 Примечание p: Сделано в Гонконге. т: Сделано в Малайзии. МАРКИРОВКА 6D 6A ТИПОВЫЙ НОМЕР BC817-25 BC817-40 МАРКИРОВКА 6B 6C ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ В соответствии с.

PDTA124EEF : Транзистор с резистором PNP. Встроенные резисторы смещения R1 и R2 (обычно по 22 кОм каждый) Упрощение схемотехники Уменьшает количество компонентов и пространство на плате.ПРИМЕНЕНИЕ Особенно подходит для уменьшения пространства в интерфейсных схемах и схемах управления. Конфигурация схемы инвертора без использования внешних резисторов. Резистором ПНП оборудован транзистор СК-89 (СОТ490) в пластиковом корпусе. МАРКИРОВКА.

SST500 : Диод стабилизатора тока. ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Номер детали Пакет CA511 TO-92 Номер детали SST510 SST511 Пакет SOT-23 IF (мА) Простые два источника тока для работы на 100 В1 Нулевой температурный коэффициент упрощает использование источников плавающего тока Не требуются источники питания ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ Доступен диод-стабилизатор тока Calogic в пластике ТО-92 и поверхностном креплении СОТ-23. Устройства.

ST6225CN1 : 8-битные микроконтроллеры Otp / ePROM с аналого-цифровым преобразователем, защитой осциллятора, безопасным сбросом и 28 контактами.

FDB8870 : Общие сведения Этот N-канальный полевой МОП-транзистор был разработан специально для повышения общей эффективности преобразователей постоянного тока в постоянный, использующих синхронные или обычные импульсные ШИМ-контроллеры. Он оптимизирован для низкого заряда затвора, низкого rDS (ON) и высокой скорости переключения.

FDPF5N50NZ : N-канальный полевой МОП-транзистор 500 В, UniFETII Эти силовые полевые транзисторы с N-канальным усилением производятся с использованием запатентованной Fairchilds планарной полосы по технологии DMOS.Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и устойчивости к импульсам высокой энергии в лавине.

APM4356KPC-TRL : 15 А, 30 В, 0,004 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 30 вольт; rDS (вкл.): 0,0040 Ом; Тип упаковки: ROHS COMPLIANT, KPAK-8; Количество блоков в ИС: 1.

BDY44.MOD : 5 А, 350 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-204AA.s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-3, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ, ТО-3, 2 КОНТАКТА.

BUV62A.MOD : 40 А, 300 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-204AE. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-3, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ, ТО-3, 2 КОНТАКТА.

C331K-8I : 1 ЭЛЕМЕНТ, 0,33 мкГн, ПОРОШОК С ЖЕЛЕЗНЫМ ЯДРОМ, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Устройств в упаковке: 1; Основной материал: порошковое железо; Тип вывода: Радиальный, ПРОВОДНЫЙ; Применение: общего назначения, ВЧ дроссель; Диапазон индуктивности: 0,3300 мкГн; Допуск индуктивности: 10 (+/-%); DCR: 0.7500 Ом; Номинальный постоянный ток: 250 мА; Фактор добротности: 32; SRF: 400 МГц; Тестирование.

C739RJT : РЕЗИСТОР, ПРОВОДНАЯ НАВИВКА, 7 Вт, 5%, 200 ppm, 39 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 39 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 7 Вт (0,0094 л.с.); Операционная.

PDTA144TEF, 115 : 100 мА, 50 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР.s: Полярность: PNP; Тип упаковки: ПЛАСТИК, SC-89, 3 PIN.

X-CLA : РЕЗИСТОР, СЕТЬ, ПЛЕНКА, ИЗОЛИРОВАННАЯ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ. s: Конфигурация: Chip Array; Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), CHIP; Температурный коэффициент: 5 ± ppm / ° C; Рабочее напряжение постоянного тока: 100 вольт; Рабочая температура: от -55 до 175 C (от -67 до 347 F).

Руководство по стилю Дольче и Габбана

Несмотря на то, что Доменико Дольче и Стефано Габбана одеваются бесчисленными звездами, они продолжают защищать настоящих женщин, черпая вдохновение в «женщине, которая умеет кричать, смеяться и показывать свои чувства». Пара, ранее романтичная, но в настоящее время профессиональная, привнесла сицилийский гламур в современное сознание, получив постоянное признание критиков (и финансов). Культурная поездка дает вам все, что вам нужно знать об итальянском центре моды.

Изысканные принты, тяжелая вышивка, черное кружево и цветы — все это повторяющиеся темы в коллекциях Dolce и Gabbana — и часто все сразу. Их склонность к итальянскому излишеству имеет множество источников: от драматических персонажей «Сладкой жизни» до пышности католической церкви, где Дольче и Габбана использовали гравюры сицилийского собора Монреале и сверкающие четки в своей коллекции FW13.Будь то кожаная мини (мини) юбка поверх колготок с леопардовым принтом или сицилийский лимонный узор, дуэт воспевает свое наследие в типично итальянской моде — громко и гордо. Они также создали культовое сицилийское платье, которое Хэл Рубинштейн цитирует в своей книге «100 незабываемых платьев».

Dolce & Gabbana: Коллекция Осень / Зима 1992-1993, flickr | victorismaelsoto

В D&G клише итальянской мамы о мальчике звучит как нельзя лучше; их первая коллекция называлась «Настоящая женщина», и с тех пор Дольче и Габбана отстаивают эту идею. Начиная с подиумной пижамной гламурной коллекции Весна / Лето 2009 и заканчивая показом Осень / Зима 2015, на котором были представлены рисунки племянников на платьях от кутюр, дуэт всегда исследовал интерпретации женственности. Однако в основе их эстетики лежит черный бюстгальтер, который, возможно, является итальянским эквивалентом LBD каждой женщины: подходящий независимо от размера, возраста и вкуса.

Еще один главный продукт своих коллекций, Dolce и Gabbana, придают скромному брючному костюму подчеркнутую и характерную сексуальность.На протяжении многих лет они ходили в кожаных брючных костюмах, украшенных пайетками, коротко укороченных из твида или на неоновой подкладке, что придавало им футуристический вид. Как объяснил Габбана Алену Эльканну: «вещи, которые вы будете видеть снова и снова (…), являются брючными костюмами, которые абсолютно мужские, но предназначены для андрогинной женщины». Поступая так, Дольче и Габбана гарантируют, что силовая одежда существует в лучшем виде. чувственный.

Где родились Доменико Дольче и Стефано Габбана? Доменико Дольче родился в 1958 году в Полицци-Дженероза, Сицилия, а Стефано Габбана родился в 1962 году в Милане.Оба места остаются значимыми в их жизни, хотя дизайнеры встречались, работают и живут в Милане. Габбана утверждает, что он «более сицилийский», но оба часто ссылаются на Сицилию как на источник вдохновения для своих работ.

Где познакомились Доменико Дольче и Стефано Габбана? Дуэт познакомился в клубе в Милане в 1980 году.

Где Доменико Дольче и Стефано Габбана начали работать в моде? Дольче изучал моду в Istituto Marangoni, прежде чем бросить учебу раньше срока, будучи уверенным, что узнал все, что ему нужно было знать после четырех месяцев трехлетнего курса.В итоге он работал на Джорджо Корреджари и, после знакомства с Габбана, помог ему найти работу и их тоже. Когда Габбана вернулся из своего обязательного военного турне в 1982 году, два дизайнера уехали, чтобы создать свою собственную консультационную студию.

Как появились Dolce and Gabbana (бренд)? Как ни странно, название было рождено из практических соображений. В интервью New Yorker дуэт рассказал, что, когда они покинули Корреджари и начали работать из своей однокомнатной квартиры, их бухгалтер предложил объединить свои финансы, призвав их «ставить Дольче и Габбана наверху» своих счетов .

Когда Дольче и Габбана представили свою первую коллекцию? Дебют дуэта состоялся в 1985 году в Милане, когда их друзья были моделями наряду с другими новыми итальянскими дизайнерами. Год спустя они открыли в городе магазин.

Когда Дольче и Габбана представили свою первую коллекцию мужской одежды? После выпуска купальников в 1987 году и нижнего белья и купальных костюмов в 1989 году модный дом представил свою первую мужскую коллекцию в 1992 году.

Не нужно быть слишком авангардным, потому что вы рискуете остаться незамеченным.DD

Мы строили нашу моду на трех основных концепциях: Сицилия, пошив одежды и традиции. Наша мечта — создать неподвластный времени стиль. DD

Работаем с романтикой. Сегодня, когда вы что-то покупаете, вам нужны эмоции, вы должны это любить. SG

Мадонна — наша первая любовь. Вы никогда не забудете свою первую любовь. SG

Мы делаем одежду, которая заставляет вас чувствовать, заставляет вас мечтать об итальянской мечте. DD

Диоды D1G — D7G Руководство пользователя

D1G — D7G

Номер документа: DS29001 Rev.4–2

1 из 3

www.diodes.com

Январь 2012 г.

© Diodes Incorporated

D1G — D7G

1.0A СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ

Характеристики и преимущества

Конструкция матриц с пассивированным стеклом

Возможность высокого тока и малое падение напряжения в прямом направлении

Рейтинг импульсной перегрузки до 30 А, пик

Бессвинцовая отделка, соответствует требованиям RoHS (примечание 1)

Механические характеристики

• Корпус:

Т1

Материал корпуса: Литой пластик. Воспламеняемость UL

Классификационный рейтинг 94V-0

Чувствительность к влаге: уровень 1 согласно J-STD-020

Полярность: катодная лента

Клеммы: Отделка — Жесть. Подходит для пайки в соответствии с MIL-STD-202, метод 208

Маркировка: Типовой номер

Вес: 0,13 грамма (приблизительно)

Информация для заказа

(Примечание 2)

Устройство

Упаковка

Доставка

D1G-T

Т-1

5K / лента и катушка, 13 дюймов

D2G-T

Т-1

5K / лента и катушка, 13 дюймов

D3G-T

Т-1

5K / лента и катушка, 13 дюймов

D4G-T

Т-1

5K / лента и катушка, 13 дюймов

D5G-T

Т-1

5K / лента и катушка, 13 дюймов

D6G-T

Т-1

5K / лента и катушка, 13 дюймов

D7G-T

Т-1

5K / лента и катушка, 13 дюймов

Максимальные характеристики и Электрические характеристики

@T

А

= 25 ° C, если не указано иное

Однофазная, полуволновая, 60 Гц, резистивная или индуктивная нагрузка.
Для емкостной нагрузки уменьшите ток на 20%.

Характеристика

Symbol D1G D2G D3G D4G D5G D6G D7G Unit

Пиковое повторяющееся обратное напряжение
Рабочее пиковое обратное напряжение
Блокирующее напряжение постоянного тока

В

RRM

В

RWM

В

R

50100200400600800 1000 В

RMS обратное напряжение

В

R (RMS)

35 70140280 420560700 В

Средний выпрямленный выходной ток
(Примечание

3)

@

т

А

= 75

° С

Я

O

1.0 А

Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток
8,3 мс Одинарная полусинусоида, наложенная на номинальную нагрузку

Я

ФСМ

30 А

Нападающий

Напряжение

@

Я

F

= 1.0A

В

FM

1,0 В

Пиковый обратный ток

@ Т

А

= 25

° С

при номинальном блокирующем напряжении постоянного тока

@ Т

А

= 100

° С

Я

RM

5. 0

50

мкА

Типичное время обратного восстановления (Примечание 4)

т

руб.

2,0

мкс

Типичная общая емкость (Примечание 5)

С

т

8,0 пФ

Типичное тепловое сопротивление перехода к окружающей среде

R

θJA

100

° C / Вт

Диапазон рабочих температур и температур хранения

т

Дж

,

т

СТГ

-65 до +150

° С

Примечания:

1.Директива ЕС 2002/95 / EC (RoHS). Применяются все применимые исключения RoHS, см. Примечания к приложению
к Директиве ЕС 2002/95 / EC. 2. Подробную информацию об упаковке см. На нашем веб-сайте http://www.diodes.com.
3. Действительно при условии, что провода поддерживаются при температуре окружающей среды на расстоянии 9,5 мм от корпуса.
4. Измерения проводились с I

F

= 0,5 А, я

R

= 1А, я

руб.

= 0,25 А.

5. Измерено на частоте 1,0 МГц и приложенном обратном напряжении 4.0 В постоянного тока.

Комплект

5R6288 для обслуживания цилиндров бульдозера Подходит для Caterpillar D7G Запчасти для строительной техники opiaconcept Business & Industrial

+32 (0) 477 757 497

Представитель цилиндра бульдозера обслуживания комплекта

5Р6288 подходит для гусеницы Д7Г

из-за разницы между разными мониторами. дома вы никогда не почувствуете себя круче. Купите HyBrid & Company Women’s 11, с разрешением в 5 раз больше, чем у камеры 80p Full HD, блузку с короткими рукавами на пуговицах и развевающимися короткими рукавами.гордится тем, что является официально лицензированным партнером ключевых профессиональных американских спортивных лиг — MLB. Комплект 5R6288 Ремонт цилиндра бульдозера Подходит для Caterpillar D7G , Наша продукция включает ремонтные комплекты карбюратора и топливного впрыска, Защита ваших инвестиций важна, и выбор правильных деталей может быть сложной задачей, Этот процесс обеспечивает постоянную плотность фрикционного материала по всей колодке, что приводит к равномерному износу и эксплуатационные характеристики на протяжении всего срока службы тормозных колодок, эти застегивающиеся на пуговицы изнашиваемые изделия имеют белый цвет, и вы можете получить их с рукавами с оборками или без них. ⋙ Доступные размеры кольца: 20г; 18 г; 16g, желтый школьный автобус и розовый цвет фуксии. 5R6288 Комплект ремонтного цилиндра для сервисного бульдозера подходит для Caterpillar D7G . Для максимально быстрого обслуживания, пожалуйста, сообщите мне в поле для сообщения продавцу во время оформления заказа, хотите ли вы установить штамп или снять клейкую ленту. не может гарантировать, что цвет на вашем экране будет соответствовать фактическому цвету товара. Вы получите BULK 8 — Small Oval St Benedict Charm with Crystal Accents Double Sided in Silver Pewter от TIJC, если нет другого хищника.Это отсканированная и улучшенная графика, четкая при разрешении 300 точек на дюйм и возможность изменения размера — Color Floss Legend с хлопковой нитью DMC. Комплект 5R6288 Ремонтный цилиндр для сервисного бульдозера Подходит для Caterpillar D7G . Его можно прикрепить к любой осветительной стойке с помощью стандартной / 8-дюймовой шпильки с помощью прилагаемого передаточного винта 1/4 дюйма и / 8 дюймов. Пожалуйста, вымойте детский набор столовых приборов теплой мыльной водой перед первым использованием, чтобы смыть любые остатки, оставшиеся от производственного процесса. Налоги и сборы за таможенное оформление не включены в стоимость товара или стоимость доставки.Для вашего головного устройства или монитора также потребуется подключение RCA CAM-In для фонокорректора, стильная высококачественная виниловая наклейка с художественной печатью, выключатель света в комплект не входит — это просто наклейка. 5R6288 Комплект ремонтного цилиндра для сервисного бульдозера подходит для Caterpillar D7G .

Три новых SNP в кодирующей области гена PPARγ и их ассоциации с признаками качества мяса у крупного рогатого скота

  • 1.

    Isseman I, Green S (1990) Активация члена суперсемейства рецепторов стероидных гормонов пролифераторами пероксисом.Nature 347: 645–650

    Статья Google Scholar

  • 2.

    Forman BM, Chen J, Evans RM (1997) Гиполипидемические препараты, полиненасыщенные жирные кислоты и эйкозаноиды являются лигандами альфа- и дельта-рецепторов, активируемых пролифератором пероксисом. PNAS 94: 4312–4317

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 3.

    Kliewer SA, Lenhard JM, Willson TM, Patel I, Morris DC, Lehmann JM (1995) Метаболит простагландина j (2) связывает гамма-рецептор, активируемый пролифератором пероксисом, и способствует дифференцировке адипоцитов.Ячейка 83: 813–819

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 4.

    Tontonoz P, Hu ED, Spiegelman BM (1994) Стимуляция адипогенеза в фибробластах с помощью PPAR-гамма-2, фактора транскрипции, активируемого липидами. Ячейка 79: 1147–1156

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 5.

    Berger J, Moller DE (2002) Механизмы действия PPAR. Annu Rev Med 53: 409–435

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 6.

    Spiegelman BM (1998) PPAR-гамма: адипогенный регулятор и тиазолидиндионовый рецептор. Диабет 47: 507–514

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 7.

    Walczak R, Tontonz P (2002) PPARadigms и PPARadoxe: расширение роли PPARgamma в контроле липидного обмена. J Lipid Res 43: 177–186

    CAS. PubMed Google Scholar

  • 8.

    Schoonjans K, Starls B, Auwerx J (1996) Рецепторы, активируемые пролифератором пероксисом (PPAR), и их влияние на метаболизм липидов и дифференцировку адипоцитов.Biochim Biophys Acta 1302: 93–109

    CAS PubMed Google Scholar

  • 9.

    Matsusue K, Peters JM, Gonzalez FJ (2004) PPARβ / δ потенцирует дифференцировку адипоцитов, стимулированную PPARγ . FASEB J 18: 1477–1479

    CAS PubMed Google Scholar

  • 10.

    Evans RM, Barish GD, Wang YX (2004) PPAR и сложный путь к ожирению. Nat Med 10: 355–361

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 11.

    Эшер П., Вали В. (2000) Рецепторы, активируемые пролифератором пероксисом: понимание множества клеточных функций. Mutat Res 448: 121–138

    CAS PubMed Google Scholar

  • 12.

    Rosenson RS (2007) Влияние рецепторов, активируемых пролифератором пероксисом, на метаболизм липопротеинов и контроль глюкозы при сахарном диабете 2 типа. Am J Cardio 199: 96B – 104B

    Статья Google Scholar

  • 13.

    Чоудхари В., Кумар П., Бхаттачарья Т.К., Бхушан Б., Шарма А., Шукла А. (2007) ДНК-полиморфизм гена белка-3, связывающего инсулиноподобный фактор роста, и его связь с массой тела при рождении и массой тела крупного рогатого скота. J Anim Breed Genet 124: 29–34

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 14.

    Ван Дж., Шанер Н., Миттал Б., Чжоу К., Чен Дж., Сангер Дж. М., Сангер Дж. В. (2005) Динамика белков на основе Z-полосы в развивающихся клетках скелетных мышц. Цитоскелет клеточного мотила 61 (1): 34–48

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 15.

    Xu XW, Xing S, Du ZQ, Rothschild MF, Yerle M, Liu B (2008) TEF1 и RTEF1 свиней: молекулярная характеристика и анализ ассоциации с признаками роста. Comp Biochem Physiol B 150 (4): 447–453

    Статья PubMed Google Scholar

  • 16.

    Zhou G, Dudgeon C, Li M, Cao Y, Zhang L, Jin H (2010) Молекулярное клонирование гена HGD и ассоциация SNP с характеристиками качества мяса у китайского красного крупного рогатого скота.Mol Biol Rep 37 (1): 603–611

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 17.

    Лю Х., Тянь В., Цзань Л., Ван Х., Цуй Х. (2010) Мутации гена MC4R и его связь с экономическими признаками у крупного рогатого скота провинции Циньчуань. Mol Biol Rep 37 (1): 535–540

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 18.

    Zhang CL, Wang YH, Chen H, Lan XY, Lei CZ, Fang XT (2009) Связь между вариантами в 5′-нетранслируемой области гена MC4R крупного рогатого скота и двумя признаками роста крупного рогатого скота Nanyang.Mol Biol Rep 36 (7): 1839–1843

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 19.

    Juszczuk-Kubiak E, Wyszyńska-Koko J, Wicińska K, Rosochacki S (2008) Новый полиморфизм в интроне 12 гена бычьего кальпастатина. Mol Biol Rep 35 (1): 29–35

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 20.

    Sambrook J, Russell DW (2002) Молекулярное клонирование Лабораторное руководство, 3-е издание.Science Press, Пекин, Китай (перевод Хуанг Пей Танг)

  • 21.

    Sun HS, Anderson LL, Yu TP, Kim KS, Klindt J, Tuggle CK (2002) Новорожденные свиньи Meishan демонстрируют влияние генотипа POU1F1 на плазменный GH и Концентрация ПРЛ. Anim Reprod Sci 69: 223–237

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 22.

    Meirhaeghe A, Fajas L, Helbecque N, Cottel D, Auwerx J, Deeb SS, Amouyel P (2000) Влияние полиморфизма рецептора gamma2 Pro12Ala, активируемого пролифератором пероксисом, на ожирение, липиды и инсулиннезависимый диабет mellitus.Int J Obes Relat Metab Disord 24: 195–199

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 23.

    Argmann CA, Cock TA, Auwerx J (2005) гамма-рецептор, активируемый пролифератором пероксисом: чем больше, тем лучше? Eur J Clin Invest 35: 82–92

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 24.

    Auwerx J (1999) PPARgamma, высший ген бережливости. Диабетология 42: 1033–1049

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 25.

    Yen CJ, Beamer BA, Negri C, Silver K, Brown KA, Yarnall DP, Burns DK, Roth J, Shuldiner AR (1997) Молекулярное сканирование гена рецептора-γ, активируемого пролифератором пероксисом человека (PPAR), у диабетиков европеоидной расы: идентификация миссенс-мутации Pro12Ala PPAR-γ2. Biophys Res Commun 241: 270–274

    CAS Статья Google Scholar

  • 26.

    Ristow M, Muller-Wieland D, Pfeiffer A, Krone W, Kahn CR (1998) Ожирение, связанное с мутацией в генетическом регуляторе дифференцировки адипоцитов.N Engl J Med 339 (14): 953–959

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 27.

    Orio F Jr, Matarese G, Di Biase S, Palomba S, Labella D, Sanna V, Savastano S, Zullo F, Colao A, Lombardi G (2003) Экзон 6 и 2 рецептора, активируемого пролифераторами пероксисом — гамма-полимеризм при синдроме поликистозных яичников. J Clin Endocrinol Metab 88 (12): 5–887

    Статья Google Scholar

  • 28.

    Peng DQ, Zhao SP, Nie S, Li J (2003) Взаимодействие генов PPARg и ApoE влияет на риск ишемической болезни сердца. Int J Cardiol 92: 257–263

    Статья PubMed Google Scholar

  • 29.
  • alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *