Пин холл: Что такое пинхол-камера и каковы …

Содержание

Что такое пинхол-камера и каковы …

Пинхол (pinhole – булавочное отверстие) – камера с маленьким отверстием вместо объектива или объективом, имитирующим такой эффект.

Ещё в X веке арабский математик и учёный Альхазен обнаружил, что свет, проходя через крошечное отверстие в стене тёмной комнаты, проецируется на противоположную поверхность. До появления светочувствительных носителей этим оптическим эффектом пользовались художники. Такой способ помогал быстро и легко воспроизводить картины с фотографической точностью.

История возникновения

Простейшие устройства для передачи изображения на противоположную поверхность — это камеры-обскуры (лат. camera obscūra — “тёмная комната”). Они помогали не только художникам, но и астрономам. Первое использование этого оптического эффекта задокументировано в 1544 году во время наблюдения за солнечным затмением.

Со временем использование качественной оптики популяризировалось и камера-обскура стала более компактной. Но она не обеспечивала высокой резкости изображения. До определённого предела резкость можно повысить путём уменьшения диаметра отверстия, но при слишком сильном уменьшении сказываются эффекты дифракции – изображение становится ещё более расплывчатым.

Принцип работы художников с камерой-обскурой

С открытием фоточувствительных элементов мир получил фотографию и фотокамеры стали распространяться в XIX веке. В XX веке их вытеснили более продвинутые фотоаппараты, которые использовали линзы, а с распространением фотопленок в 1960-х снова вспомнили про технику пинхол.

Принцип работы

Принцип действия любой пинхол-камеры таков: свет проходит через очень маленькое (около 1 мм) отверстие, попадает на плёнку, светочувствительную бумагу или другую поверхность, покрытую фоточувствительным элементом. Из-за принципов камеры обскура изображение переворачивается (к слову, также работает наше зрение). Но в отличие от человеческих глаз или современных фотокамер, свет не фокусируется на пленке. Из-за этого изображение получается размытым. Баланс между размытостью и недостаточной четкостью изображения зависит от диаметра отверстия. Если отверстие большое, изображение превратится в разноцветное пятно, а слишком маленькое отверстие не даст достаточно цвета для четкой картинки и она будет плохо различима.

Кроме того, четкость снимка зависит от краев отверстия – в идеале оно должно быть круглыми, поэтому при производстве современных пинхол-камер и пинхол-объективов используют лазер.

Скрытое видеонаблюдение

Еще пинхол-камерами называют спецсредства для скрытой видеосъемки. Они внесены в Список видов специальных технических средств, предназначенных для негласного получения информации, ввоз и вывоз которых подлежат лицензированию. Список касается и “специальных технических средств для негласного визуального наблюдения и документирования”. Одним из подпунктов являются камеры, “имеющие вынесенный зрачок входа (PIN-HOLE)”.

Покупка, продажа и установка у себя скрытого видеонаблюдения могут повлечь за собой уголовное наказание, несмотря на все заверения продавца в их легальности – окончательную легальность любых подобных средств определяет СБУ работать же и распространять такие средства могут только спец. службы и предприятия, прошедшие соответствующее лицензирование.

pin hole – phrases – Multitran dictionary

Subject area	English	Russian
tech.	adjust … to where the clevis pin hole aligns to the wastegate lever	отрегулируйте … таким образом, чтобы отверстие в тяге было соосно с штифтом рычага заслонки
railw.	adjusting pin hole	отверстие для регулирования
railw.	adjusting pin hole	отверстие для перестановки
agric.	beech pin-hole borer	древесинник дубовый (Xyloterus domesticus, Trypodendron domesticum)
tech.	center pin hole	отверстие центрального пальца
tech.	cotter pin hole	отверстие под шплинт (translator911)
automat.	cross-pin hole	отверстие под крестовину (напр. в картере дифференциала)
wood.	diameter of pin hole	диаметр отверстия дисковой пилы под шпильку
tech.	dowel pin hole	отверстие штыря
Makarov.	drawbar pin hole	присоединительное отверстие сцепной скобы
el.	drive-pin hole	направляющее отверстие в грампластинке
wood.	driving pin hole	отверстие для шпильки в диске круглой пилы
wood.	edge-to-edge distance from centre to pin hole	расстояние от кромки окружности центрового отверстия до кромки окружности под шпильку
mil.	firing pin-hole	отверстие для прохода бойка
weap.	firing-pin hole	отверстие для прохода бойка (ABelonogov)
O&G, sakh.	full hole pin	полнопроходный ниппель замка трубы (FH pin)
tech.	gear dowel pin hole reaming	развёртывание отверстие штыря шестерни
weap.	hammer pin hole	отверстие для бойка (ABelonogov)
tech.	hammer pin hole	отверстие для оси курка
tech.	hitch pin hole	отверстие шкворня сцепки
agric.	hitch pin hole	присоединительное отверстие сцепного устройства
agric.	hitch pin hole	присоединительное отверстие навесного устройства
Makarov.	hitch pin hole	присоединительное отверстие сцепного или навесного устройства
plast.	hole forming pin	оформляющий штифт
polym.	hole forming pin	оформляющая шпилька
oil	hole-forming pin	штифт, отпрессовывающий отверстие
tech.	hole-sensing pin	дыроискатель
tech.	injection pump housing timing pin hole	отверстие корпуса топливного насоса для синхронизирующего штифта
tech.	insert a cotter pin into a hole	вставлять шплинт в отверстие
tech.	locating pin hole	отверстие установочного пальца
tech.	oversize pin hole	увеличенное отверстие пальца
oil	pin and hole jacking system	подъёмное устройство штыреоконного типа
dril.	pin and hole type jacking system	подъёмное устройство штыреоконного типа (на самоподнимающихся опорах)
oil	pin hole	очень малое отверстие (в трубе)
O&G	pin hole	точечный дефект сварного шва (MichaelBurov)
O&G	pin hole	точечный дефект (MichaelBurov)
O&G	pin hole	точечный дефект сварки (MichaelBurov)
mech.eng.	pin hole	глазок
mech.eng.	pin hole	ушко
oil	pin hole	мелкий газовый пузырь
oil	pin hole	очень малое отверстие в трубе
qual.cont.	pin hole	царапина
tech.	pin hole	отверстие пальца
tech.	pin hole	точечное отверстие (диафрагмы)
tech.	pin hole	проколотое отверстие
tech.	pin hole	отверстие для чеки
Makarov.	pin hole	мелкое отверстие в овчине
chem.	pin hole	игольчатое отверстие
construct.	pin hole	отверстие для болта
auto.	pin hole	отверстие для поршневого пальца
oil	pin hole	отверстие для шпильки
oil	pin hole	точечная пористость
Makarov.	pin hole	накол (дефект эмали)
tech.	pin hole	точечный дефект (покрытия)
tech.	pin hole	накол
agric.	pin hole	накостыш
polygr.	pin hole	раковина (в стереотипе)
polygr.	pin hole	прокол (точечный дефект изображения)
qual.cont.	pin hole	расслой
qual.cont.	pin hole	плена
chem.	pin hole	по́ра
tech.	pin hole	прокол
tech.	pin hole	микроотверстие
oil	pin hole	скважина, потерявшая последний резервный диаметр (вследствие чего дальнейшее бурение невозможно)
polygr.	pin hole	отверстие от иглы
polygr.	pin hole	отверстие от графейки
automat.	pin hole	отверстие под шпильку
automat.	pin hole	отверстие для поршневого пальца (в шатуне)
auto.	pin hole	отверстие малого диаметра
auto.	pin hole	отверстие под штифт
dril.	pin hole	скважина, потерявшая последний резервный диаметр, вследствие чего дальнейшее бурение невозможно
dril.	pin hole	«булавочное» отверстие в трубе
Makarov.	pin hole	булавочное отверстие
O&G	pin hole defect	точечный дефект сварки (MichaelBurov)
O&G	pin hole defect	точечный дефект сварного шва (MichaelBurov)
O&G	pin hole defect	точечный дефект (MichaelBurov)
tech.	pin hole leak	мельчайшая утечка
tech.	pin hole size	размер отверстия под палец
Makarov.	pin hole texture	мелкая пористость (мякиша хлеба)
tech.	pin holes	дырочки «худоба» (дефект трикотажного полотна)
Makarov.	pin holes in metal plates	пробить дырки в металлических пластинках
tech.	pin locating hole	установочное отверстие под штифт
tech.	pin puller hole	отверстие узла отвода фиксатора
med.appl.	pin sized hole	отверстие для иглы (у баллонов для тампонады маточных кровотечений iwona)
O&G. tech.	pin-and-hole jack	штыреоконный подъёмник самоподъёмного основания
tech.	pin-and-hole jacking device	подъёмная система штыреоконного типа (самоподъёмного основания)
tech.	pin-and-hole type jacking device	подъёмная система штыреоконного типа (самоподъёмного основания)
O&G, oilfield.	pin-and-hole type jacking system	подъёмное устройство штыре-оконного типа
oil	pin-and-hole-type jacking system	подъёмное устройство штыреоконного типа (на самоподъёмном плавучем буровом основании)
construct.	pin-hole	отверстие малого диаметра
tech.	pin-hole	микроканал
construct.	pin-hole	отверстие под штифт
tech.	pin-hole	отверстие в бумаге (дефект)
O&G	pin-hole	точечный дефект сварки (MichaelBurov)
O&G	pin-hole	точечный дефект сварного шва (MichaelBurov)
cables	pin-hole pinhole	точечный дефект
cables	pin-hole pinhole	точечный прокол
foundr.	pin-hole	поверхностный пузырь
leath.	pin-hole	круглое углубление на лицевой поверхности кожи (не устранённое при отделке)
leath.	pin-hole	круглое оспина на лицевой поверхности кожи (не устранённое при отделке)
met., Makarov.	pin-hole	точечный дефект
cables	pin-hole pinhole	точечная раковина
construct.	pin-hole	отверстие под шплинт
Makarov.	pin-hole	диафрагма малого сечения
biol.	pin-hole borers	ложные короеды (Platypodidae)
biol.	pin-hole borers	плоскоходы (Platypodidae)
tech.	pin-hole corrosion	пористая коррозия
O&G	pin-hole defect	точечный дефект сварки (MichaelBurov)
O&G	pin-hole defect	точечный дефект (MichaelBurov)
O&G	pin-hole defect	точечный дефект сварного шва (MichaelBurov)
energ.ind.	pin-hole defect	точечный дефект (в металле)
Makarov.	pin-hole detector	прокатный дефектоскоп для обнаружения проколов в рулонной полосе
railw.	pin-hole leak	потение
railw.	pin-hole leak	просачивание
mech.eng.	pin-hole leak	просачиваться через микроотверстия
chem.	pin-hole leak	точечная течь
polygr.	pin-hole plotter	перфоратор
automat.	pin-hole punch	проколочный пуансон
Makarov.	pin-hole pupil	сильно суженный зрачок
avia.	pin-loaded hole	отверстие, нагруженное болтом
tech.	piston pin bushing oil hole	смазочное отверстие втулки поршневого пальца
tech.	piston pin hole	отверстие для поршневого пальца
automat.	plate of the hole and pin type	делительный диск с отверстиями под фиксирующие штифты
Makarov.	prick a hole with a sharp pin	проделать отверстие острой булавкой
tech.	roll pin hole	отверстие пальца
weap.	sear-pin hole	отверстие для оси спускового рычага (шептала ABelonogov)
tech.	sear-pin hole	отверстие для оси спускового рычага
automat.	shearing pin hole	отверстие под срезной штифт
tech.	shearing pin hole	отверстие штифта, работающего на срез
construct.	split pin hole	отверстие для шплинта
tech.	split pin hole	отверстие под шплинт (Киселев)
tech.	split pin hole diameter	диаметр отверстия под шплинт (Киселев)
tech.	split-pin hole	отверстие для шплинта
tech.	spring pin hole	отверстие пружинного штифта
tech.	static timing pin hole	отверстие штифта статической синхронизации
tech.	suspension frame mounting pin hole	монтажное отверстие шкворня рамы подвески
tech.	taper pin hole drill	коническое сверло для обработки отверстий под штифт
tech.	timing pin hole	отверстие синхронизирующего штифта
tech.	track pin hole	проушина для пальца в траке
mil., arm.veh.	track pin hole	отверстие для пальца в звене гусеницы
mil., arm.veh.	track pin hole	отверстие для пальца в траке
mil., arm.veh.	track pin hole	проушина для пальца в траке (звене гусеницы)
auto.	track pin hole	отверстие в звене гусеницы (для пальца)
mil.	track pin hole	проушина для пальца в звене гусеницы
mil.	track pin-hole	отверстие для пальца в траке
mil.	track pin-hole	отверстие для пальца в звене гусеницы
weap.	trigger-pin hole	отверстие для оси в спусковом крючке (ABelonogov)
tech.	trigger-pin hole	отверстие для оси спускового крючка
mil.	trunnion-pin hole	проушина для соединительного болта
automat.	wrist-pin hole	отверстие под поршневой палец
auto.	wrist-pin hole	отверстие верхней головки шатуна (для поршневого пальца)
tech.	yoke pin hole center	центр отверстия под палец вилки

Toys & Hobbies x 0 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim wheel 0 23/32in D Building Toys

Home
Toys & Hobbies
Building Toys
LEGO Building Toys
LEGO Bricks & Building Pieces
x 0 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim wheel 0 23/32in D

wheel 23/32in D x 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim, LEGO — 4 x wheel rim wheel 18mm (D) x 14mm Pin Hole black/black 55981 nine, New parts — New parts,Flagship Stores,Free Shipping on All Orders,Fast Shipping, Easy Returns,To ensure convenient and sincere service! x 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim wheel 23/32in D, x 0 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim wheel 0 23/32in D.

Blocks: Brand: : Lego, LEGO — 4 x wheel rim wheel 18mm, unopened, undamaged item, UPC: : Does not apply: Piece Types: : Elements. Type: : Bricks, See all condition definitions : MPN: : 4500394, See the seller’s listing for full details, including handmade items, New parts — New parts, x 0 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW. unused, 6056825, Lego — 4x wheel rim wheel 0 23/32in D, D, x 14mm Pin Hole black/black 55981 nine. 6109682, Condition:: New: A brand-new.

Акция 99 руб/м

Компания АВАНТА регулярно проводит специальные сезонные акции, даря своим клиентам, выгодные бонусы и скидки на качественные потолки и монтаж.

Подробнее →

Натяжные потолки – это современная технология отделки помещений любого типа, при производстве которой используются полимерные материалы ведущих европейских производителей. В отличие от традиционных потолочных покрытий, натяжные потолки быстро монтируются, быстро меняются, привнося в Вашу жизнь легкость и комфорт. Диапазон применения натяжных потолков неограничен. С одинаковым успехом они применяются в новом строительстве, реконструкции, ремонте, декоративной отделке квартир, офисов, ресторанов, гостиниц, бассейнов, спортивных, оздоровительных сооружений, музеев, концертных залов и во всех случаях являются наиболее престижным элементом интерьера.

Читать далее →

Фотопечать

Фотопечать на натяжном потолке в компании Аванта позволяет создать копию исходного изображения исключительно высокого качества. При изготовлении натяжного потолка с фотопечатью компания Аванта использует экологически чистую ткань и специальные краски, не содержащие свинца, что абсолютно безопасно для жилых помещений.

Узнать подробности →

Дизайн “под ключ”

Отделка помещения «под ключ» – еще одна услуга в Компании Аванта, которая позволит вам сократить время и деньги, в случаях, при которых не обойтись заказом только натяжного потолка. В зависимости от ваших пожеланий, с помощью дизайнеров будут представлены решения всего интерьера вашего дома с новой точки зрения, максимально выгодно используя пространство имеющегося жилья.

Узнать подробности →

Заказать обратный звонок

x 0 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim wheel 0 23/32in D

avanta-nsk.ru LEGO — 4 x wheel rim wheel 18mm (D) x 14mm Pin Hole black/black 55981 nine, New parts — New parts,Flagship Stores,Free Shipping on All Orders,Fast Shipping, Easy Returns,To ensure convenient and sincere service!

A3144 3144E Oh4144E Датчик Холла (10 шт.), Трехконтактный Sip: Amazon.com: Industrial & Scientific

В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.

Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
★ ★ ★ ★ ★ 【Рабочая температура TA】 E: -20 ~ 85 градусов Цельсия, L: -40 ~ 150 градусов Цельсия.
★ ★ ★ ★ ★ Диапазон температур хранения TS】 -65 ~ 150 градусов Цельсия
★ ★ ★ ★ ★ Параметр ограничения】 25 градусов Цельсия, Напряжение источника питания VCC: 24 В.
★ ★ ★ ★ ★ 【Напряжение и ток】 Выходное напряжение обратного пробоя Vce: 50 В. Выходная низкоточная ИОЛ: 50 мА.
★★★★★ Пакет Inlcude】 10 переключателей с датчиками Холла

]]>

Характеристики этого продукта

Тип основы	дефолт
Фирменное наименование	Thincol
Ean	0719233373071
Вес изделия	0.353 унции
Номер детали	Thincol71bkwg3z0a
Код UNSPSC	39120000
UPC	719233373071

9’6 «Kris Hall Jazz Pin — Магазин для серфинга Daydream

50 долларов.00

0,00 руб.

Крис Холл — чрезвычайно талантливый, молодой, серфер и шейпер, который показал довольно невероятные таланты в обеих областях. Базируясь в Южном заливе Лос-Анджелеса, Холл разработал бревно для разнообразного спектра волн как универсальное динамическое бревно. Контур Jazz Pin с втянутым носом и широким концом, отведенным назад, демонстрирует классический силуэт переходной эпохи.Контуры дна начинаются плоскими по направлению к носу и постепенно расширяются к хвосту. Рельсовая фольга начинает загибаться в носу, переходит в более 60/40, слегка загнутую к середине рельсовую фольгу, поднимается назад, чтобы отразить хвост носом, если не чуть больше загнутым в хвосте. Выпуклое дно обеспечивает быстрое и легкое скольжение, а крены действительно хорошо разворачивают хвост, в то время как загнутые рельсы в хвосте удерживают воду и помогают стабилизировать носовые переходы для хорошо закругленной езды от носа до хвоста.

Присоединяйтесь к исследовательскому центру Daydream и начните экспериментировать с разнообразным набором качественных досок для серфинга. Зарегистрируйтесь онлайн, купив один из вариантов ниже. Если у вас есть вопросы относительно выбора совета директоров, свяжитесь с нами или войдите и поговорите с нами об Исследовательском центре лично. Приобретя членство, вы можете написать нам по электронной почте, чтобы зарезервировать доску на определенные дни, или зайти и выбрать то, что доступно. Пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с нашими Условиями участия в Исследовательском центре перед покупкой.

Исследовательский центр Daydream выбирает доски, которые лучше всего подходят для среднего или более высокого уровня навыков. Атрибуты дизайна этих досок могут быть трудными для тех, у кого меньше опыта в серфинге. Для начинающих серферов мы настоятельно рекомендуем учиться на досках для серфинга, которые предназначены для новичков, и будем рады помочь вам указать правильное направление, чтобы найти магазины, в которых есть доски для ваших нужд. Мы хотим создать для наших участников лучший опыт и согласовать их с досками, которые дополняют их уровень навыков.

Участие в программе

Day Pass — это предложение, предназначенное для людей, не проживающих по соседству, которые хотели бы иметь доступ к доскам из колчана исследовательского центра, которые не зарезервированы на день их посещения. Платы необходимо будет вернуть в течение 24 часов и за один сеанс.

Ежемесячное членство — Ежемесячное членство Исследовательского центра может удерживать до 3 дней для каждого совета. Текущие файлы будут храниться для документирования процесса экспериментов, их также можно использовать для заказа плат через шейперы, с которыми мы работаем.

Расширенное членство

— участники имеют те же преимущества, что и ежемесячные участники, и им разрешается удерживать периоды продолжительностью 7 дней.

Введение Учебное пособие по схемам датчиков переключателей на эффекте Холла

Рис. 1

by Lewis Loflin

Датчики на эффекте Холла — это твердотельные магнитные сенсорные устройства, используемые либо в качестве магнитных переключателей, либо для измерения магнитных полей. Здесь меня интересуют три основных типа: переключатель на эффекте Холла, защелка на эффекте Холла и логометрический или аналоговый выходной датчик.Подробнее об общих принципах работы см. В моем видео на YouTube выше. Здесь я хочу проиллюстрировать различные электронные схемы, а также то, как подключать датчики и использовать их.

Переключатель на эффекте Холла включается при наличии южного магнитного поля на его лицевой стороне или северного магнитного поля на противоположной стороне. Он выключится, когда магнит будет удален.

Защелка на эффекте Холла работает как выключатель, но остается включенной после удаления магнита. Он выключится, если приложить к лицу северный полюс или отключить питание.Ниже у меня есть схема использования переключателя Холла для включения / выключения однополюсного переключателя.

Логометрический датчик на эффекте Холла выдает аналоговое напряжение, пропорциональное напряженности магнитного поля. Устройства, которые я буду использовать на отдельной странице, являются однополярными, и, как правило, без приложения магнитного поля выходное напряжение составляет половину напряжения питания. Напряжение будет увеличиваться с южным магнитным полюсом на лице или уменьшаться с северным магнитным полюсом на лице.

См. Использование ратиометрических датчиков эффекта Холла

Здесь мы рассмотрим переключатели и защелки, которые начинаются как логометрические, а затем добавим компараторы, триггеры Шмитта и выходные транзисторы.Ниже приведен список спецификаций датчиков Холла, используемых в моем видео на YouTube.

На рисунке выше показаны типичные выводы датчиков Холла. Южный полюс магнита направлен в сторону «лица», включающего устройство. Северный полюс на лице не будет иметь никакого эффекта, если устройство не является защелкой, которую он выключит, если он уже включен.

Рассмотрим пятивольтовый переключатель Холла UGN3013T. Для срабатывания переключателя обычно требуется от 500 до 750 Гс.Но для того, чтобы отпустить или отключить, обычно требуется от 225 Гс до 110 Гс. Таким образом, у нас есть разумный диапазон 275, в котором нам нужно оставаться для надежной работы. Таким образом, очевидно, что даже небольшой железный магнит может работать хорошо или должен находиться очень близко к датчику. Обратите внимание, что это старая устаревшая деталь, которая у меня случайно оказалась. Новые устройства намного более чувствительны.

Рис. 2

На рисунке выше показана внутренняя блок-схема переключателя на эффекте Холла в данном случае UGN3013T. Он включает пластину Холла, усилитель, триггер Шмитта и транзисторный выход с открытым коллектором.Некоторые могут использовать МОП-транзистор с открытым стоком вместо биполярного транзистора.

Рис. 3

Ратиометрический датчик Холла с компаратором LM311 образует переключатель на эффекте Холла с выходом с открытым коллектором, образующий переключатель с регулируемой точкой срабатывания. Vcc составляет 5 вольт при использовании датчика, такого как UGN3502, и 12 вольт для TL174C. Его можно напрямую подключить к входному порту микроконтроллера или другой 5-вольтовой цифровой логике.

Рис. 4

Добавив триггер JK к нашему переключателю на эффекте Холла на рис.3 формируем защелку на эффекте Холла. Состояния Q и QNOT «меняются» с каждым циклом включения-выключения на TP2.

Рис. 5

На рис. 5 показано, как использовать переключатель Холла с выходом «открытый коллектор / сток» с триггером CD4027 JK для формирования схемы защелки.

На этом мы завершаем введение в датчики и схемы на эффекте Холла.

Веб-сайт Авторские права Льюис Лофлин, Все права защищены.
Если вы используете этот материал на другом сайте, пожалуйста, дайте обратную ссылку на мой сайт.

Отверстие под штифт | Hikvision US

Самую последнюю версию этого документа можно посмотреть здесь:
Инструкция по обновлению цифрового видеорегистратора серии K
Гибридный цифровой видеорегистратор Turbo 4 серии K имеет несколько моделей для разных платформ и наборов микросхем. Он также имеет аналогичную разработку прошивки другой линейки записывающих устройств; Серия DVR K также представила GUI4.0, чтобы гарантировать совместимость серии с новейшими доступными технологиями. Новая архитектура базы данных также включена в прошивку DVR v4.0 на будущее и для лучшего опыта поиска при записи.

Оптимизация и восстановление базы данных

По мере того, как со временем появляются более доступные камеры с большим разрешением видео и большими размерами данных, также становится необходимым более эффективное управление базами данных. Внедрение прошивки v4.0 повлекло за собой новую архитектуру базы данных, чтобы быть уверенным в завтрашнем дне.
После обновления до v4.X базу данных регистратора необходимо будет преобразовать и оптимизировать.Если у вас возникли проблемы, при которых воспроизведение ожидается, но не найдено, обязательно выполните «Восстановление базы данных», как указано в процедурах и сценариях ниже.

Подготовка к обновлению

Перед тем, как продолжить обновление, рекомендуется экспортировать файл конфигурации DVR с DVR по сети или на локальный USB-накопитель.

Действия после обновления микропрограммы

1. Обновите DVR в соответствии с приведенной выше таблицей.

2. Подтверждение расписания записи канала

— Подтвердите, что расписание записи канала включено.

— Проверьте правильность расписания записи канала.

3. Двойная проверка настроек хранения

— Убедитесь, что все каналы назначены для записи на его группу жестких дисков, когда параметр Storage находится в режиме группы.

4. Выполните локальную перестройку базы данных.

• Некоторые версии выше поддерживают восстановление базы данных через веб-доступ — K51 и K72

• Выполните перестроение базы данных независимо от того, есть ли в системе какие-либо признаки проблемы с базой данных.

• Процесс восстановления базы данных занимает в среднем от 30 до 60 минут на ТБ. Процесс может по-прежнему варьироваться в зависимости от записываемых данных.

• После восстановления базы данных — проверьте журнал, чтобы убедиться, что восстановление базы данных прошло правильно.

• Если восстановление базы данных запущено и остановлено, журнал заносился в журнал только в течение нескольких минут. Восстановление базы данных могло быть выполнено некорректно. Настоятельно рекомендуется снова выполнить восстановление базы данных.

• Для проверки журнала> Система> Журнал> Информация> Восстановление базы данных начато и остановлено.

• Если опция журнала недоступна — система доступа через SSH также может получить аналогичный результат.

5. Данные записи все еще отсутствуют после процесса восстановления базы данных.

Если данные не были записаны или были перезаписаны, процесс восстановления базы данных не сможет восстановить эти потерянные данные. Обновите систему до последней доступной версии прошивки, указанной выше, чтобы предотвратить потерю данных в будущем, настоятельно рекомендуется для всех приложений.

границ | Однородные пленки чистого CsPbBr3 без отверстий на плоских подложках с помощью простой модификации методом центрифугирования

Введение

Галогенидные перовскиты (HaP) на основе свинца со стехиометрией AMX ₃ (где A — одновалентный органический катион, такой как метиламмоний – MA ⁺; M — двухвалентный катион металла-Pb ²⁺, а X — одновалентный анион , галогенид, йодид – I ^–, бромид – Br ^– или хлорид – Cl ^–) превратились в важный класс полупроводниковых материалов для оптоэлектроники благодаря их превосходным оптическим и электронным свойствам (Hodes, 2013; Странкс и др., 2013; Инь и др., 2014; Салиба и др., 2016; Ян и др., 2017). Недавно была продемонстрирована эффективность фотоэлектрического преобразования энергии некоторых конкретных композиций AMX ₃, близкая к 25%. Мы фокусируемся на HaP на основе бромида (с шириной запрещенной зоны ~ 2.3 эВ, E _G), поскольку они демонстрируют высокое напряжение холостого хода (V _OC) (Edri et al., 2013, 2014; Kedem et al., 2015; Kulbak et al., 2015, 2016), что делает их привлекательными исходными материалами для тандемных клеток в качестве партнеров c-Si.Галогенидные перовскиты на основе бромидов используются в высокопроизводительных фотодетекторах (Zeng et al., 2018). CsPbBr ₃ — широкозонный материал (E _BG = 2,32 эВ). Такие материалы менее изучены, чем материалы с меньшей шириной запрещенной зоны, и методы их синтеза ограничены. Важно отметить, что солнечные элементы или светоизлучающие устройства, сделанные из таких перовскитов, генерируют высокое напряжение холостого хода / зелено-синее излучение. Солнечные элементы высокого напряжения представляют интерес для использования в системах тандемного или спектрального разделения.В то время как ширина запрещенной зоны чистого CsPbBr ₃ выше оптимальной для использования в тандемных ячейках, понимание и оптимизация производства более оптимальных смешанных аналогов бромида / йодида требует изучения и понимания исходных соединений. Чистый CsPbBr ₃ представляет прямой интерес для преобразования солнечной энергии и хранения в виде химической энергии (в химических связях) за счет расщепления воды и восстановления CO ₂. Следовательно, исследования CsPbBr ₃ имеют прямое значение для преобразования и хранения энергии.

В предыдущей работе мы показали, что если цезий (Cs ⁺) используется в качестве катиона A вместо MA в HaP, используемом для изготовления солнечного элемента, эффективность не только аналогична эффективности гибридного MAPbBr _{3 на основе}. элементов, но стабильность солнечных элементов лучше, чем у элементов на основе MAPbBr ₃ при длительном освещении AM1.5 (Kulbak et al., 2016). Однако при приготовлении пленок CsPbBr ₃, которые имеют

• фазово-чистые (т.е. состоят только из перовскита со стехиометрией ABX ₃),

• сплошные, без точечных отверстий и, следовательно, покрывающие, полностью плоские, немезопористые подложки,

• гладкая (отсутствие беспорядочно ориентированных кристаллитов неправильной формы со среднеквадратичной шероховатостью <~ 10 нм)

— сложная задача.

Действительно, в большинстве устройств для получения приемлемых пленок используется подложка из мезопористого оксида. Для изучения многих фундаментальных свойств материала для оптоэлектронных применений предпочтительна, а иногда даже необходима гладкая, непрерывная, хорошо покрывающая тонкая пленка на обычной подложке. В этой работе мы адаптировали метод газового потока, ранее использовавшийся для органо-неорганических гибридных HaP (Yu et al., 2018), для нанесения таких пленок CsPbBr ₃ на поверхность, которая не является мезопористой, а плоской.Поток газа (через сопло) во время нанесения покрытия центрифугированием замедляется из-за быстрого охлаждения за счет испарения растворителя, роста зародышей, увеличения плотности центров зародышеобразования, что помогает сделать растущую пленку более однородной. Наше внимание в этом предварительном исследовании было сосредоточено на изучении нового метода получения фазово-чистого CsPbBr ₃ без крошечных отверстий, который был получен с помощью метода, обсуждаемого в работе. Предварительные результаты работы первых солнечных элементов, изготовленных из таких пленок CsPbBr ₃, являются многообещающими.Необходима дальнейшая работа для повышения эффективности устройств и измерения их EQE и EIS, что станет нашим будущим исследованием.

Результаты и обсуждения

Процесс метода с использованием потока газа показан на схеме 1, в которой раствор прекурсора перовскита капают на подложку, а затем начинается прядение. Во время прядения газ выдувается с верхней поверхности, в результате чего образуется однородная пленка.

Схема 1 . N ₂ Метод с использованием потока газа для изготовления тонких пленок CsPbBr ₃ без пор.

На рис. 1A показан спектр поглощения пленок CsPbBr ₃ толщиной ~ 200 нм, осажденных на TiO ₂ (d-TiO ₂) толщиной ~ 70 нм, покрытых оксидом олова, легированным фтором (FTO). Начало поглощения соответствует E _G 2,32 эВ, что согласуется с более ранними сообщениями. Пик излучения фотолюминесценции (ФЛ) CsPbBr ₃ (нанесенный на голую стеклянную подложку) находится при 530 нм (рис. 1А). Рентгенограмма не показывает наличия различных фаз Cs-Pb-Br, Pb-Br или Cs-Br, т.е.е., в пределах точности этого метода, образовался фазово-чистый CsPbBr ₃. Рентгенограмма порошка эталонного CsPbBr ₃ (№ 97851 в базе данных ICSD) показана на рисунке 1B. Все пики на дифрактограммах образцов могут быть идентифицированы как принадлежащие и проиндексированы для CsPbBr ₃, плюс пики от TiO ₂ (подложка с маркировкой ^*), как показано на рисунке 1B. Такой результат достигается в диапазоне концентраций прекурсора от 0,4 (М) до 0.45 (М), а после отжига при 250 ° С в течение 10 мин. Для концентраций> 0,45 (М) были обнаружены дополнительные пики (рис. 1В), соответствующие Cs ₂ PbBr ₆. СЭМ-изображения показывают гладкие пленки без точечных отверстий на плоском FTO с покрытием d-TiO ₂ на стеклянной подложке, что можно увидеть в поперечном сечении, показанном на рисунке 1C. СЭМ-изображение поверхности пленки показано на рисунке S1.

Рис. 1. (A) УФ-видимые спектры поглощения и фотолюминесценции (ФЛ) тонкой пленки CsPbBr ₃, полученной с помощью процесса с газовым потоком, на плотном FTO с покрытием TiO ₂ на стекле, и на стеклянной подложке, соответственно, (B) XRD-спектры таких пленок CsPbBr ₃ на плотной подложке FTO с покрытием TiO ₂ с использованием различных концентраций предшественников солей («*» представляют дифракционные пики от d-TiO ₂) и эталонный порошок CsPbBr ₃ (№ 97851 в базе данных ICSD), (C, D) SEM поперечного сечения пленок CsPbBr ₃, полученных методом газового потока (C) и приготовлен двустадийным методом (D) .

Мы сравнили пленки CsPbBr ₃, выращенные с помощью газового потока, с пленками, выращенными двухступенчатым осаждением, обе на предметных стеклах, покрытых FTO. Поперечное сечение СЭМ CsPbBr ₃, изготовленного методом двухэтапного осаждения (Kulbak et al., 2015) на плотном TiO ₂, т.е. d-TiO ₂ с покрытием FTO на стекле слайд показан на рисунке 1D (для плоского изображения SEM см. SI, рисунок S2). Пленки, выращенные двухэтапным методом, очень неоднородны и показывают кристаллиты неправильной формы, которые довольно беспорядочно ориентированы на d-TiO ₂ на стеклянной подложке, покрытой FTO.Таким образом, мезопористый слой mp-TiO ₂ должен был использоваться с двухэтапным методом, чтобы получить разумную эффективность преобразования солнечных элементов CsPbBr ₃, полученных с помощью двухэтапного процесса.

Наличие CsPbBr ₃ на мезопористой подложке, хотя и является практическим решением, ограничивает возможности использования других подложек и, прежде всего, возможность изучения самого HaP! Напротив, метод с использованием потока газа позволяет получать гладкие пленки без отверстий на относительно гладких подложках, таких как d-TiO ₂, и, следовательно, мезопористый слой не является необходимым для солнечных элементов.Кроме того, XRD показал, что пленки, выращенные двухступенчатым методом, не являются фазово-чистыми и состоят из смеси CsPbBr ₃, CsPb ₂ Br ₅ и Cs ₄ PbBr ₆ (Рисунок S3). .

Для изготовления ячеек использовались пленки CsPbBr ₃ (на FTO с покрытием d-TiO ₂) в конфигурации nip , где TiO ₂ служит электронно-транспортным слоем n-типа, а поли-триариламин ( PTAA) в качестве транспортного слоя дырок p-типа.Структура устройства была завершена термическим осаждением 100 нм Au в качестве контакта на PTAA. SEM-изображение поперечного сечения ячейки показано на рисунке 2B. Параметры ячейки (потенциал холостого хода, V _OC, плотность тока короткого замыкания, J _SC, коэффициент заполнения, FF и эффективность преобразования световой энергии в электрическую) были измерены с использованием моделированного 1 солнечного освещения (AM1.5 ), с имитатором солнечной энергии. Устройство CsPbBr ₃ показало КПД 2,5%. Кривые зависимости плотности тока от напряжения (JV) устройства (светлый и темный) показаны на рисунке 2A, а параметры устройства приведены в таблице S1.

Рисунок 2. (A) ВАХ CsPbBr ₃ в темноте и при (~ AM1,5G) освещении, (B) Поперечный разрез устройства CsPbBr ₃, (C) Генерация фототока (в точке максимальной мощности) из неинкапсулированных устройств CsPbBr ₃ при 1 солнечном освещении в течение> 1 ч, в окружающей среде (воздухе).

Мы провели анализ EBIC на поперечном сечении лучшего устройства, чтобы понять профиль генерации заряда (показанный на рисунке 3) от различных интерфейсов.Из рисунка 3 видно, что генерация заряда происходит по всей пленке CsPbBr ₃. Моделирование траектории электронов методом Монте-Карло показывает, что при 3 кэВ подавляющее большинство электронов достигнет ~ 60 нм от области взаимодействия. Таким образом, диффузионные длины носителей заряда должны превышать ~ 80 нм (толщина пленки минус диаметр объема генерации), что означает, что сигнал EBIC определяется длиной диффузии неосновных носителей заряда, а не объемом взаимодействия электронного пучка с веществом.Это также свидетельствует о хорошем качестве пленок CsPbBr ₃, полученных этим методом.

Рис. 3. (A) Отклик EBIC от поперечного сечения CsPbBr _{3 ФЭ устройства}, показывающий сигнал через всю толщину пленки, а (B) — соответствующее вторичное электронное изображение устройства (см. Рисунок 2B). Поскольку сигнал EBIC не затухает в активном материале, его толщина устанавливает нижний предел длины диффузии носителей в пленке.

Важность этого метода может быть осознана из чрезвычайно простого и нетребовательного производственного процесса, который поддается оптимизации для производства материалов качества солнечных элементов. Кроме того, стабильность неинкапсулированных устройств отслеживалась путем выдерживания этих устройств в точке максимальной мощности при моделированном освещении AM1.5 в течение 1,5 ч (рис. 2C). Можно заметить, что неинкапсулированное устройство генерировало стабильный фототок в течение периода освещения. В настоящее время мы демонстрируем удовлетворительную неинкапсулированную стабильность, по крайней мере, сравнимую со стабильностью CsPbBr ₃ устройств, изготовленных другими методами.В будущем исследование будет также сосредоточено на стабильности солнечных элементов в зависимости от температуры и освещенности. Простой способ, которым широко используемый метод может быть адаптирован для получения того, что мы описываем и иллюстрируем здесь, делает информацию в этом коротком сообщении очень ценной для исследователей, которым требуются такие тонкие пленки для своей работы, будь то академическая или прикладная.

Экспериментальная секция

Производство устройств

Прозрачные проводящие подложки на основе оксида олова (FTO), легированного фтором (F) (Xinyan Technology TCO-XY15), были разрезаны на определенный размер и тщательно очищены ультразвуком в теплом водном растворе алконокса, деионизированной воде, ацетоне и этаноле с последующей сушкой. по потоку N ₂.После обработки кислородной плазмой компактный слой TiO ₂ толщиной ~ 60 нм был нанесен на чистую подложку путем пиролиза распылением 30 мМ раствора диизопропоксида титана бис (ацетилацетоната) (Sigma Aldrich) в изопропаноле с использованием воздуха в качестве газа-носителя. нагревательная плита установлена на 450 ° C, после чего следует двухступенчатая процедура отжига при 160 ° C и 500 ° C, каждый в течение 1 часа на воздухе (Kulbak et al., 2015).

Пленки CsPbBr ₃ были приготовлены путем добавления потока азота (N ₂) на определенной стадии процесса, а именно:

Сначала подложки (FTO, покрытые тонким слоем TiO ₂; размер подложки: 2 см × 2 см) протравливались кислородно-плазменным газом в течение 10 минут для очистки поверхности и улучшения смачиваемости.Сразу после этой обработки подложки помещали в центрифужную машину для нанесения покрытий. После этого к подложке добавляли 250 мкл раствора прекурсора (содержащего различные концентрации как CsBr, так и PbBr ₂, а именно (0,4, 0,45 и 0,5 М)) (FTO, покрытый тонким слоем TiO ₂). Покрытие центрифугированием было начато немедленно. Покрытие центрифугированием проводилось в два последовательных этапа. В течение первых 10 с скорость прядения составляла 500 об / мин, затем 20 с при 2000 об / мин. После 10 секунд прядения (на втором этапе) , продували газообразный азот (при 0.5 л / мин-литров в минуту) от верхней части центрифуги (вертикально на подложку) в течение 10 с. Метод изготовления пленки с помощью метода газового потока повторяли 25–30 раз, и было обнаружено, что результаты согласуются с SEM и УФ-видимым анализом. Гладкая пленка появлялась после остановки вращения. Вся процедура проводилась в окружающей атмосфере. Для полного изготовления устройства поли [бис (4-фенил) (2,4,6-триметилфенил) амин] (PTAA — Lumtec) наносили методом центрифугирования в течение 5 с при 500 об / мин, а затем 40 с при 2000 об / мин.Для CsPbBr ₃ раствор PTAA содержал 12 мг в 1 мл хлорбензола, смешанного с 7,5 мкл трет-бутилпиридина (ТБФ) и 7,5 мкл 170 мг / мл LiTFSI [бис (трифторметан) сульфонамид (в ацетонитриле)]. Образцы оставляли на ночь в темноте (в атмосфере сухого воздуха) перед термическим испарением золотых контактов размером ~ 100 нм через теневую маску с прямоугольными отверстиями 0,24 см ². Для двухэтапного осаждения пленок CsPbBr ₃ использовали метод, описанный в более ранних исследованиях (Kulbak et al., 2015).

XRD-измерения были выполнены на приборе Rigaku ULTIMA III с медным анодом при 40 кВ и 40 мА. Измерения проводились с использованием конфигурации Брэгга-Брентано через щель 10 мм, конвергентную щель Соллера 5 ° и фильтр «Ni».

Спектры оптического пропускания и отражения пленок измеряли на спектрофотометре Jasco V-570, снабженном интегрирующей сферой. Пропускание было скорректировано на отражение с использованием T _corr = T / (1-R). Сканирующий электронный микроскоп Zeiss SUPRA использовался для получения изображений поперечных сечений устройства с помощью SEM и EBIC.

J-V характеристики солнечных элементов были измерены с помощью измерителя источника Keithley 2400-LV и контролировались с помощью программы, написанной на основе Labview. Использовался имитатор солнечной энергии (ScienceTech SF-150; с ксеноновой лампой с короткой дугой мощностью 300 Вт от USHIO Inc., Япония), оснащенный фильтром AM1.5 и откалиброванный с помощью кремниевого солнечного элемента IXOLARTM High Efficiency SolarBIT (IXYS XOB17-12×1). для освещения. Устройства характеризовались через маску 0,16 см ². J-V характеристики были сняты после выдержки света в течение 10 с при разомкнутой цепи и скорости сканирования 0.06 В / с (если не указано иное).

Анализ

EBIC был выполнен на сканирующем электронном микроскопе Zeiss-Supra с использованием тока пучка 5 пА и энергии пучка 3 кэВ (Kulbak et al., 2016). Ток собирался и усиливался с помощью предварительного усилителя Stanford Research Systems SR570. Поперечное сечение устройства подвергалось механической обработке сразу (до 2 мин) перед переносом образца в вакуумную камеру SEM (10 ^-5 мбар).

Выводы

В этом исследовании мы показали, как добавление «газового потока» позволяет изготавливать гладкие, фазово-чистые тонкие пленки CsPbBr ₃ на плоской (т.е.е., не мезопористый) субстрат, как показано с помощью анализа SEM и XRD. Такие пленки CsPbBr ₃ могут быть использованы для изготовления солнечных элементов планарной архитектуры с конфигурацией n-i-p. Неинкапсулированные солнечные элементы в первых экспериментах показали эффективность преобразования до 2,5% при освещении AM1,5 и были относительно стабильными при постоянном освещении в течение> 1 часа.

Заявление о доступности данных

Все наборы данных, созданные для этого исследования, включены в статью / дополнительные материалы.

Авторские взносы

SG подготовил пленки и охарактеризовал. MK выполнила EBIC и проанализировала результаты. DC помогал в подготовке рукописи и оценке результатов.

Конфликт интересов

Авторы заявляют, что исследование проводилось при отсутствии каких-либо коммерческих или финансовых отношений, которые могут быть истолкованы как потенциальный конфликт интересов.

Благодарности

Мы благодарим Гэри Ходса за обсуждения и доктора Х.Паллави Сингху за помощь в анализе данных дифракции рентгеновских лучей. Частичная поддержка этой исследовательской работы была предоставлена проектом Yotam через Инициативу по исследованиям в области устойчивого развития и энергетики Института Вейцмана, SAERI, а также министерство энергетики и инфраструктуры Израиля.

Дополнительные материалы

Дополнительные материалы к этой статье можно найти в Интернете по адресу: https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fenrg.2020.00100/full#supplementary-material

Сноски

Список литературы

Эдри, Э., Кирмайер, С., Кахен, Д., и Ходес, Г. (2013). Солнечные элементы высокого напряжения холостого хода на основе органо-неорганического перовскита бромида свинца. J. Phys. Chem. Lett . 4, 897–902. DOI: 10.1021 / jz400348q