Пин холл: Что такое пинхол-камера и каковы …

Содержание

Что такое пинхол-камера и каковы …

Пинхол (pinhole – булавочное отверстие) – камера с маленьким отверстием вместо объектива или объективом, имитирующим такой эффект.

Ещё в X веке арабский математик и учёный Альхазен обнаружил, что свет, проходя через крошечное отверстие в стене тёмной комнаты, проецируется на противоположную поверхность. До появления светочувствительных носителей этим оптическим эффектом пользовались художники. Такой способ помогал быстро и легко воспроизводить картины с фотографической точностью.

История возникновения 

Простейшие устройства для передачи изображения на противоположную поверхность — это камеры-обскуры (лат. camera obscūra — “тёмная комната”). Они помогали не только художникам, но и астрономам. Первое использование этого оптического эффекта задокументировано в 1544 году во время наблюдения за солнечным затмением.

Со временем использование качественной оптики популяризировалось и камера-обскура стала более компактной. Но она не обеспечивала высокой резкости изображения. До определённого предела резкость можно повысить путём уменьшения диаметра отверстия, но при слишком сильном уменьшении сказываются эффекты дифракции – изображение становится ещё более расплывчатым.

Принцип работы художников с камерой-обскурой

С открытием фоточувствительных элементов мир получил фотографию и фотокамеры стали распространяться в XIX веке. В XX веке их вытеснили более продвинутые фотоаппараты, которые использовали линзы, а с распространением фотопленок в 1960-х снова вспомнили про технику пинхол.

 

Принцип работы

Принцип действия любой пинхол-камеры таков: свет проходит через очень маленькое (около 1 мм) отверстие, попадает на плёнку, светочувствительную бумагу или другую поверхность, покрытую фоточувствительным элементом. Из-за принципов камеры обскура изображение переворачивается (к слову, также работает наше зрение). Но в отличие от человеческих глаз или современных фотокамер, свет не фокусируется на пленке. Из-за этого изображение получается размытым. Баланс между размытостью и недостаточной четкостью изображения зависит от диаметра отверстия. Если отверстие большое, изображение превратится в разноцветное пятно, а слишком маленькое отверстие не даст достаточно цвета для четкой картинки и она будет плохо различима.

Кроме того, четкость снимка зависит от краев отверстия – в идеале оно должно быть круглыми, поэтому при производстве современных пинхол-камер и пинхол-объективов используют лазер.

 

Скрытое видеонаблюдение

Еще пинхол-камерами называют спецсредства для скрытой видеосъемки. Они внесены в Список видов специальных технических средств, предназначенных для негласного получения информации, ввоз и вывоз которых подлежат лицензированию. Список касается и “специальных технических средств для негласного визуального наблюдения и документирования”. Одним из подпунктов являются камеры, “имеющие вынесенный зрачок входа (PIN-HOLE)”.

Покупка, продажа и установка у себя скрытого видеонаблюдения могут повлечь за собой уголовное наказание, несмотря на все заверения продавца в их легальности – окончательную легальность любых подобных средств определяет СБУ работать же и распространять такие средства могут только спец. службы и предприятия, прошедшие соответствующее лицензирование.

 

pin hole – phrases – Multitran dictionary

Subject areaEnglishRussian
tech.adjust … to where the clevis pin hole aligns to the wastegate leverотрегулируйте … таким образом, чтобы отверстие в тяге было соосно с штифтом рычага заслонки
railw.adjusting pin holeотверстие для регулирования
railw.adjusting pin holeотверстие для перестановки
agric.beech pin-hole borerдревесинник дубовый (Xyloterus domesticus, Trypodendron domesticum)
tech.center pin holeотверстие центрального пальца
tech.cotter pin holeотверстие под шплинт (translator911)
automat.cross-pin holeотверстие под крестовину (напр. в картере дифференциала)
wood.diameter of pin holeдиаметр отверстия дисковой пилы под шпильку
tech.dowel pin holeотверстие штыря
Makarov.drawbar pin holeприсоединительное отверстие сцепной скобы
el.drive-pin holeнаправляющее отверстие в грампластинке
wood.driving pin holeотверстие для шпильки в диске круглой пилы
wood.edge-to-edge distance from centre to pin holeрасстояние от кромки окружности центрового отверстия до кромки окружности под шпильку
mil.firing pin-holeотверстие для прохода бойка
weap.firing-pin holeотверстие для прохода бойка (ABelonogov)
O&G, sakh.full hole pinполнопроходный ниппель замка трубы (FH pin)
tech.gear dowel pin hole reamingразвёртывание отверстие штыря шестерни
weap.hammer pin holeотверстие для бойка (ABelonogov)
tech.hammer pin holeотверстие для оси курка
tech.hitch pin holeотверстие шкворня сцепки
agric.hitch pin holeприсоединительное отверстие сцепного устройства
agric.hitch pin holeприсоединительное отверстие навесного устройства
Makarov.hitch pin holeприсоединительное отверстие сцепного или навесного устройства
plast.hole forming pinоформляющий штифт
polym.hole forming pinоформляющая шпилька
oilhole-forming pinштифт, отпрессовывающий отверстие
tech.hole-sensing pinдыроискатель
tech.injection pump housing timing pin holeотверстие корпуса топливного насоса для синхронизирующего штифта
tech.insert a cotter pin into a holeвставлять шплинт в отверстие
tech.locating pin holeотверстие установочного пальца
tech.oversize pin holeувеличенное отверстие пальца
oilpin and hole jacking systemподъёмное устройство штыреоконного типа
dril.pin and hole type jacking systemподъёмное устройство штыреоконного типа (на самоподнимающихся опорах)
oilpin holeочень малое отверстие (в трубе)
O&Gpin holeточечный дефект сварного шва (MichaelBurov)
O&Gpin holeточечный дефект (MichaelBurov)
O&Gpin holeточечный дефект сварки (MichaelBurov)
mech.eng.pin holeглазок
mech.eng.pin holeушко
oilpin holeмелкий газовый пузырь
oilpin holeочень малое отверстие в трубе
qual.cont.pin holeцарапина
tech.pin holeотверстие пальца
tech.pin holeточечное отверстие (диафрагмы)
tech.pin holeпроколотое отверстие
tech.pin holeотверстие для чеки
Makarov.pin holeмелкое отверстие в овчине
chem.pin holeигольчатое отверстие
construct.pin holeотверстие для болта
auto.pin holeотверстие для поршневого пальца
oilpin holeотверстие для шпильки
oilpin holeточечная пористость
Makarov.pin holeнакол (дефект эмали)
tech.pin holeточечный дефект (покрытия)
tech.pin holeнакол
agric.pin holeнакостыш
polygr.pin holeраковина (в стереотипе)
polygr.pin holeпрокол (точечный дефект изображения)
qual.cont.pin holeрасслой
qual.cont.pin holeплена
chem.pin holeпо́ра
tech.pin holeпрокол
tech.pin holeмикроотверстие
oilpin holeскважина, потерявшая последний резервный диаметр (вследствие чего дальнейшее бурение невозможно)
polygr.pin holeотверстие от иглы
polygr.pin holeотверстие от графейки
automat.pin holeотверстие под шпильку
automat.pin holeотверстие для поршневого пальца (в шатуне)
auto.pin holeотверстие малого диаметра
auto.pin holeотверстие под штифт
dril.pin holeскважина, потерявшая последний резервный диаметр, вследствие чего дальнейшее бурение невозможно
dril.pin hole«булавочное» отверстие в трубе
Makarov.pin holeбулавочное отверстие
O&Gpin hole defectточечный дефект сварки (MichaelBurov)
O&Gpin hole defectточечный дефект сварного шва (MichaelBurov)
O&Gpin hole defectточечный дефект (MichaelBurov)
tech.pin hole leakмельчайшая утечка
tech.pin hole sizeразмер отверстия под палец
Makarov.pin hole textureмелкая пористость (мякиша хлеба)
tech.pin holesдырочки «худоба» (дефект трикотажного полотна)
Makarov.pin holes in metal platesпробить дырки в металлических пластинках
tech.pin locating holeустановочное отверстие под штифт
tech.pin puller holeотверстие узла отвода фиксатора
med.appl.pin sized holeотверстие для иглы (у баллонов для тампонады маточных кровотечений iwona)
O&G. tech.pin-and-hole jackштыреоконный подъёмник самоподъёмного основания
tech.pin-and-hole jacking deviceподъёмная система штыреоконного типа (самоподъёмного основания)
tech.pin-and-hole type jacking deviceподъёмная система штыреоконного типа (самоподъёмного основания)
O&G, oilfield.pin-and-hole type jacking systemподъёмное устройство штыре-оконного типа
oilpin-and-hole-type jacking systemподъёмное устройство штыреоконного типа (на самоподъёмном плавучем буровом основании)
construct.pin-holeотверстие малого диаметра
tech.pin-holeмикроканал
construct.pin-holeотверстие под штифт
tech.pin-holeотверстие в бумаге (дефект)
O&Gpin-holeточечный дефект сварки (MichaelBurov)
O&Gpin-holeточечный дефект сварного шва (MichaelBurov)
cablespin-hole pinholeточечный дефект
cablespin-hole pinholeточечный прокол
foundr.pin-holeповерхностный пузырь
leath.pin-holeкруглое углубление на лицевой поверхности кожи (не устранённое при отделке)
leath.pin-holeкруглое оспина на лицевой поверхности кожи (не устранённое при отделке)
met., Makarov.pin-holeточечный дефект
cablespin-hole pinholeточечная раковина
construct.pin-holeотверстие под шплинт
Makarov.pin-holeдиафрагма малого сечения
biol.pin-hole borersложные короеды (Platypodidae)
biol.pin-hole borersплоскоходы (Platypodidae)
tech.pin-hole corrosionпористая коррозия
O&Gpin-hole defectточечный дефект сварки (MichaelBurov)
O&Gpin-hole defectточечный дефект (MichaelBurov)
O&Gpin-hole defectточечный дефект сварного шва (MichaelBurov)
energ.ind.pin-hole defectточечный дефект (в металле)
Makarov.pin-hole detectorпрокатный дефектоскоп для обнаружения проколов в рулонной полосе
railw.pin-hole leakпотение
railw.pin-hole leakпросачивание
mech.eng.pin-hole leakпросачиваться через микроотверстия
chem.pin-hole leakточечная течь
polygr.pin-hole plotterперфоратор
automat.pin-hole punchпроколочный пуансон
Makarov.pin-hole pupilсильно суженный зрачок
avia.pin-loaded holeотверстие, нагруженное болтом
tech.piston pin bushing oil holeсмазочное отверстие втулки поршневого пальца
tech.piston pin holeотверстие для поршневого пальца
automat.plate of the hole and pin typeделительный диск с отверстиями под фиксирующие штифты
Makarov.prick a hole with a sharp pinпроделать отверстие острой булавкой
tech.roll pin holeотверстие пальца
weap.sear-pin holeотверстие для оси спускового рычага (шептала ABelonogov)
tech.sear-pin holeотверстие для оси спускового рычага
automat.shearing pin holeотверстие под срезной штифт
tech.shearing pin holeотверстие штифта, работающего на срез
construct.split pin holeотверстие для шплинта
tech.split pin holeотверстие под шплинт (Киселев)
tech.split pin hole diameterдиаметр отверстия под шплинт (Киселев)
tech.split-pin holeотверстие для шплинта
tech.spring pin holeотверстие пружинного штифта
tech.static timing pin holeотверстие штифта статической синхронизации
tech.suspension frame mounting pin holeмонтажное отверстие шкворня рамы подвески
tech.taper pin hole drillконическое сверло для обработки отверстий под штифт
tech.timing pin holeотверстие синхронизирующего штифта
tech.track pin holeпроушина для пальца в траке
mil., arm.veh.track pin holeотверстие для пальца в звене гусеницы
mil., arm.veh.track pin holeотверстие для пальца в траке
mil., arm.veh.track pin holeпроушина для пальца в траке (звене гусеницы)
auto.track pin holeотверстие в звене гусеницы (для пальца)
mil.track pin holeпроушина для пальца в звене гусеницы
mil.track pin-holeотверстие для пальца в траке
mil.track pin-holeотверстие для пальца в звене гусеницы
weap.trigger-pin holeотверстие для оси в спусковом крючке (ABelonogov)
tech.trigger-pin holeотверстие для оси спускового крючка
mil.trunnion-pin holeпроушина для соединительного болта
automat.wrist-pin holeотверстие под поршневой палец
auto.wrist-pin holeотверстие верхней головки шатуна (для поршневого пальца)
tech.yoke pin hole centerцентр отверстия под палец вилки

Toys & Hobbies x 0 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim wheel 0 23/32in D Building Toys



Toys & Hobbies x 0 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim wheel 0 23/32in D Building Toys
  • Home
  • Toys & Hobbies
  • Building Toys
  • LEGO Building Toys
  • LEGO Bricks & Building Pieces
  • x 0 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim wheel 0 23/32in D

wheel 23/32in D x 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim, LEGO — 4 x wheel rim wheel 18mm (D) x 14mm Pin Hole black/black 55981 nine, New parts — New parts,Flagship Stores,Free Shipping on All Orders,Fast Shipping, Easy Returns,To ensure convenient and sincere service! x 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim wheel 23/32in D, x 0 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim wheel 0 23/32in D.






Blocks: Brand: : Lego, LEGO — 4 x wheel rim wheel 18mm, unopened, undamaged item, UPC: : Does not apply: Piece Types: : Elements. Type: : Bricks, See all condition definitions : MPN: : 4500394, See the seller’s listing for full details, including handmade items, New parts — New parts, x 0 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW. unused, 6056825, Lego — 4x wheel rim wheel 0 23/32in D, D, x 14mm Pin Hole black/black 55981 nine. 6109682, Condition:: New: A brand-new.

Акция 99 руб/м

2

Компания АВАНТА регулярно проводит специальные сезонные акции, даря своим клиентам, выгодные бонусы и скидки на качественные потолки и монтаж.

Подробнее →

Натяжные потолки – это современная технология отделки помещений любого типа, при производстве которой используются полимерные материалы ведущих европейских производителей. В отличие от традиционных потолочных покрытий, натяжные потолки быстро монтируются, быстро меняются, привнося в Вашу жизнь легкость и комфорт. Диапазон применения натяжных потолков неограничен. С одинаковым успехом они применяются в новом строительстве, реконструкции, ремонте, декоративной отделке квартир, офисов, ресторанов, гостиниц, бассейнов, спортивных, оздоровительных сооружений, музеев, концертных залов и во всех случаях являются наиболее престижным элементом интерьера.

Читать далее →

Фотопечать

Фотопечать на натяжном потолке в компании Аванта позволяет создать копию исходного изображения исключительно высокого качества. При изготовлении натяжного потолка с фотопечатью компания Аванта использует экологически чистую ткань и специальные краски, не содержащие свинца, что абсолютно безопасно для жилых помещений.

Узнать подробности →

Дизайн “под ключ”

Отделка помещения «под ключ» – еще одна услуга в Компании Аванта, которая позволит вам сократить время и деньги, в случаях, при которых не обойтись заказом только натяжного потолка. В зависимости от ваших пожеланий, с помощью дизайнеров будут представлены решения всего интерьера вашего дома с новой точки зрения, максимально выгодно используя пространство имеющегося жилья.

Узнать подробности →

Заказать обратный звонок

x 0 9/16in Pin Hole black/black 55981 NEW Lego 4x wheel rim wheel 0 23/32in D


avanta-nsk.ru LEGO — 4 x wheel rim wheel 18mm (D) x 14mm Pin Hole black/black 55981 nine, New parts — New parts,Flagship Stores,Free Shipping on All Orders,Fast Shipping, Easy Returns,To ensure convenient and sincere service!

A3144 3144E Oh4144E Датчик Холла (10 шт.), Трехконтактный Sip: Amazon.com: Industrial & Scientific


В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.
  • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
  • ★ ★ ★ ★ ★ 【Рабочая температура TA】 E: -20 ~ 85 градусов Цельсия, L: -40 ~ 150 градусов Цельсия.
  • ★ ★ ★ ★ ★ Диапазон температур хранения TS】 -65 ~ 150 градусов Цельсия
  • ★ ★ ★ ★ ★ Параметр ограничения】 25 градусов Цельсия, Напряжение источника питания VCC: 24 В.
  • ★ ★ ★ ★ ★ 【Напряжение и ток】 Выходное напряжение обратного пробоя Vce: 50 В. Выходная низкоточная ИОЛ: 50 мА.
  • ★★★★★ Пакет Inlcude】 10 переключателей с датчиками Холла
]]>
Характеристики этого продукта
Тип основы дефолт
Фирменное наименование Thincol
Ean 0719233373071
Вес изделия 0.353 унции
Номер детали Thincol71bkwg3z0a
Код UNSPSC 39120000
UPC 719233373071

9’6 «Kris Hall Jazz Pin — Магазин для серфинга Daydream

50 долларов.00

0,00 руб.

Крис Холл — чрезвычайно талантливый, молодой, серфер и шейпер, который показал довольно невероятные таланты в обеих областях. Базируясь в Южном заливе Лос-Анджелеса, Холл разработал бревно для разнообразного спектра волн как универсальное динамическое бревно. Контур Jazz Pin с втянутым носом и широким концом, отведенным назад, демонстрирует классический силуэт переходной эпохи.Контуры дна начинаются плоскими по направлению к носу и постепенно расширяются к хвосту. Рельсовая фольга начинает загибаться в носу, переходит в более 60/40, слегка загнутую к середине рельсовую фольгу, поднимается назад, чтобы отразить хвост носом, если не чуть больше загнутым в хвосте. Выпуклое дно обеспечивает быстрое и легкое скольжение, а крены действительно хорошо разворачивают хвост, в то время как загнутые рельсы в хвосте удерживают воду и помогают стабилизировать носовые переходы для хорошо закругленной езды от носа до хвоста.

Присоединяйтесь к исследовательскому центру Daydream и начните экспериментировать с разнообразным набором качественных досок для серфинга. Зарегистрируйтесь онлайн, купив один из вариантов ниже. Если у вас есть вопросы относительно выбора совета директоров, свяжитесь с нами или войдите и поговорите с нами об Исследовательском центре лично. Приобретя членство, вы можете написать нам по электронной почте, чтобы зарезервировать доску на определенные дни, или зайти и выбрать то, что доступно. Пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с нашими Условиями участия в Исследовательском центре перед покупкой.

Исследовательский центр Daydream выбирает доски, которые лучше всего подходят для среднего или более высокого уровня навыков. Атрибуты дизайна этих досок могут быть трудными для тех, у кого меньше опыта в серфинге. Для начинающих серферов мы настоятельно рекомендуем учиться на досках для серфинга, которые предназначены для новичков, и будем рады помочь вам указать правильное направление, чтобы найти магазины, в которых есть доски для ваших нужд. Мы хотим создать для наших участников лучший опыт и согласовать их с досками, которые дополняют их уровень навыков.

Участие в программе

Day Pass — это предложение, предназначенное для людей, не проживающих по соседству, которые хотели бы иметь доступ к доскам из колчана исследовательского центра, которые не зарезервированы на день их посещения. Платы необходимо будет вернуть в течение 24 часов и за один сеанс.

Ежемесячное членство — Ежемесячное членство Исследовательского центра может удерживать до 3 дней для каждого совета. Текущие файлы будут храниться для документирования процесса экспериментов, их также можно использовать для заказа плат через шейперы, с которыми мы работаем.

Расширенное членство

— участники имеют те же преимущества, что и ежемесячные участники, и им разрешается удерживать периоды продолжительностью 7 дней.

Введение Учебное пособие по схемам датчиков переключателей на эффекте Холла


Рис. 1

by Lewis Loflin

Датчики на эффекте Холла — это твердотельные магнитные сенсорные устройства, используемые либо в качестве магнитных переключателей, либо для измерения магнитных полей. Здесь меня интересуют три основных типа: переключатель на эффекте Холла, защелка на эффекте Холла и логометрический или аналоговый выходной датчик.Подробнее об общих принципах работы см. В моем видео на YouTube выше. Здесь я хочу проиллюстрировать различные электронные схемы, а также то, как подключать датчики и использовать их.

Переключатель на эффекте Холла включается при наличии южного магнитного поля на его лицевой стороне или северного магнитного поля на противоположной стороне. Он выключится, когда магнит будет удален.

Защелка на эффекте Холла работает как выключатель, но остается включенной после удаления магнита. Он выключится, если приложить к лицу северный полюс или отключить питание.Ниже у меня есть схема использования переключателя Холла для включения / выключения однополюсного переключателя.

Логометрический датчик на эффекте Холла выдает аналоговое напряжение, пропорциональное напряженности магнитного поля. Устройства, которые я буду использовать на отдельной странице, являются однополярными, и, как правило, без приложения магнитного поля выходное напряжение составляет половину напряжения питания. Напряжение будет увеличиваться с южным магнитным полюсом на лице или уменьшаться с северным магнитным полюсом на лице.

См. Использование ратиометрических датчиков эффекта Холла

Здесь мы рассмотрим переключатели и защелки, которые начинаются как логометрические, а затем добавим компараторы, триггеры Шмитта и выходные транзисторы.Ниже приведен список спецификаций датчиков Холла, используемых в моем видео на YouTube.

На рисунке выше показаны типичные выводы датчиков Холла. Южный полюс магнита направлен в сторону «лица», включающего устройство. Северный полюс на лице не будет иметь никакого эффекта, если устройство не является защелкой, которую он выключит, если он уже включен.

Рассмотрим пятивольтовый переключатель Холла UGN3013T. Для срабатывания переключателя обычно требуется от 500 до 750 Гс.Но для того, чтобы отпустить или отключить, обычно требуется от 225 Гс до 110 Гс. Таким образом, у нас есть разумный диапазон 275, в котором нам нужно оставаться для надежной работы. Таким образом, очевидно, что даже небольшой железный магнит может работать хорошо или должен находиться очень близко к датчику. Обратите внимание, что это старая устаревшая деталь, которая у меня случайно оказалась. Новые устройства намного более чувствительны.


Рис. 2

На рисунке выше показана внутренняя блок-схема переключателя на эффекте Холла в данном случае UGN3013T. Он включает пластину Холла, усилитель, триггер Шмитта и транзисторный выход с открытым коллектором.Некоторые могут использовать МОП-транзистор с открытым стоком вместо биполярного транзистора.


Рис. 3

Ратиометрический датчик Холла с компаратором LM311 образует переключатель на эффекте Холла с выходом с открытым коллектором, образующий переключатель с регулируемой точкой срабатывания. Vcc составляет 5 вольт при использовании датчика, такого как UGN3502, и 12 вольт для TL174C. Его можно напрямую подключить к входному порту микроконтроллера или другой 5-вольтовой цифровой логике.


Рис. 4

Добавив триггер JK к нашему переключателю на эффекте Холла на рис.3 формируем защелку на эффекте Холла. Состояния Q и QNOT «меняются» с каждым циклом включения-выключения на TP2.


Рис. 5

На рис. 5 показано, как использовать переключатель Холла с выходом «открытый коллектор / сток» с триггером CD4027 JK для формирования схемы защелки.

На этом мы завершаем введение в датчики и схемы на эффекте Холла.

Веб-сайт Авторские права Льюис Лофлин, Все права защищены.
Если вы используете этот материал на другом сайте, пожалуйста, дайте обратную ссылку на мой сайт.

Отверстие под штифт | Hikvision US

Самую последнюю версию этого документа можно посмотреть здесь:
Инструкция по обновлению цифрового видеорегистратора серии K
Гибридный цифровой видеорегистратор Turbo 4 серии K имеет несколько моделей для разных платформ и наборов микросхем. Он также имеет аналогичную разработку прошивки другой линейки записывающих устройств; Серия DVR K также представила GUI4.0, чтобы гарантировать совместимость серии с новейшими доступными технологиями. Новая архитектура базы данных также включена в прошивку DVR v4.0 на будущее и для лучшего опыта поиска при записи.


Оптимизация и восстановление базы данных

По мере того, как со временем появляются более доступные камеры с большим разрешением видео и большими размерами данных, также становится необходимым более эффективное управление базами данных. Внедрение прошивки v4.0 повлекло за собой новую архитектуру базы данных, чтобы быть уверенным в завтрашнем дне.
После обновления до v4.X базу данных регистратора необходимо будет преобразовать и оптимизировать.Если у вас возникли проблемы, при которых воспроизведение ожидается, но не найдено, обязательно выполните «Восстановление базы данных», как указано в процедурах и сценариях ниже.


Подготовка к обновлению

Перед тем, как продолжить обновление, рекомендуется экспортировать файл конфигурации DVR с DVR по сети или на локальный USB-накопитель.

Действия после обновления микропрограммы

1. Обновите DVR в соответствии с приведенной выше таблицей.

2. Подтверждение расписания записи канала

— Подтвердите, что расписание записи канала включено.

— Проверьте правильность расписания записи канала.

3. Двойная проверка настроек хранения

— Убедитесь, что все каналы назначены для записи на его группу жестких дисков, когда параметр Storage находится в режиме группы.

4. Выполните локальную перестройку базы данных.

• Некоторые версии выше поддерживают восстановление базы данных через веб-доступ — K51 и K72

• Выполните перестроение базы данных независимо от того, есть ли в системе какие-либо признаки проблемы с базой данных.

• Процесс восстановления базы данных занимает в среднем от 30 до 60 минут на ТБ. Процесс может по-прежнему варьироваться в зависимости от записываемых данных.

• После восстановления базы данных — проверьте журнал, чтобы убедиться, что восстановление базы данных прошло правильно.

• Если восстановление базы данных запущено и остановлено, журнал заносился в журнал только в течение нескольких минут. Восстановление базы данных могло быть выполнено некорректно. Настоятельно рекомендуется снова выполнить восстановление базы данных.

• Для проверки журнала> Система> Журнал> Информация> Восстановление базы данных начато и остановлено.

• Если опция журнала недоступна — система доступа через SSH также может получить аналогичный результат.

5. Данные записи все еще отсутствуют после процесса восстановления базы данных.

Если данные не были записаны или были перезаписаны, процесс восстановления базы данных не сможет восстановить эти потерянные данные. Обновите систему до последней доступной версии прошивки, указанной выше, чтобы предотвратить потерю данных в будущем, настоятельно рекомендуется для всех приложений.

границ | Однородные пленки чистого CsPbBr3 без отверстий на плоских подложках с помощью простой модификации методом центрифугирования

Введение

Галогенидные перовскиты (HaP) на основе свинца со стехиометрией AMX 3 (где A — одновалентный органический катион, такой как метиламмоний – MA + ; M — двухвалентный катион металла-Pb 2+ , а X — одновалентный анион , галогенид, йодид – I , бромид – Br или хлорид – Cl ) превратились в важный класс полупроводниковых материалов для оптоэлектроники благодаря их превосходным оптическим и электронным свойствам (Hodes, 2013; Странкс и др., 2013; Инь и др., 2014; Салиба и др., 2016; Ян и др., 2017). Недавно была продемонстрирована эффективность фотоэлектрического преобразования энергии некоторых конкретных композиций AMX 3 , близкая к 25%. Мы фокусируемся на HaP на основе бромида (с шириной запрещенной зоны ~ 2.3 эВ, E G ), поскольку они демонстрируют высокое напряжение холостого хода (V OC ) (Edri et al., 2013, 2014; Kedem et al., 2015; Kulbak et al., 2015, 2016), что делает их привлекательными исходными материалами для тандемных клеток в качестве партнеров c-Si.Галогенидные перовскиты на основе бромидов используются в высокопроизводительных фотодетекторах (Zeng et al., 2018). CsPbBr 3 — широкозонный материал (E BG = 2,32 эВ). Такие материалы менее изучены, чем материалы с меньшей шириной запрещенной зоны, и методы их синтеза ограничены. Важно отметить, что солнечные элементы или светоизлучающие устройства, сделанные из таких перовскитов, генерируют высокое напряжение холостого хода / зелено-синее излучение. Солнечные элементы высокого напряжения представляют интерес для использования в системах тандемного или спектрального разделения.В то время как ширина запрещенной зоны чистого CsPbBr 3 выше оптимальной для использования в тандемных ячейках, понимание и оптимизация производства более оптимальных смешанных аналогов бромида / йодида требует изучения и понимания исходных соединений. Чистый CsPbBr 3 представляет прямой интерес для преобразования солнечной энергии и хранения в виде химической энергии (в химических связях) за счет расщепления воды и восстановления CO 2 . Следовательно, исследования CsPbBr 3 имеют прямое значение для преобразования и хранения энергии.

В предыдущей работе мы показали, что если цезий (Cs + ) используется в качестве катиона A вместо MA в HaP, используемом для изготовления солнечного элемента, эффективность не только аналогична эффективности гибридного MAPbBr 3 на основе . элементов, но стабильность солнечных элементов лучше, чем у элементов на основе MAPbBr 3 при длительном освещении AM1.5 (Kulbak et al., 2016). Однако при приготовлении пленок CsPbBr 3 , которые имеют

• фазово-чистые (т.е. состоят только из перовскита со стехиометрией ABX 3 ),

• сплошные, без точечных отверстий и, следовательно, покрывающие, полностью плоские, немезопористые подложки,

• гладкая (отсутствие беспорядочно ориентированных кристаллитов неправильной формы со среднеквадратичной шероховатостью <~ 10 нм)

— сложная задача.

Действительно, в большинстве устройств для получения приемлемых пленок используется подложка из мезопористого оксида. Для изучения многих фундаментальных свойств материала для оптоэлектронных применений предпочтительна, а иногда даже необходима гладкая, непрерывная, хорошо покрывающая тонкая пленка на обычной подложке. В этой работе мы адаптировали метод газового потока, ранее использовавшийся для органо-неорганических гибридных HaP (Yu et al., 2018), для нанесения таких пленок CsPbBr 3 на поверхность, которая не является мезопористой, а плоской.Поток газа (через сопло) во время нанесения покрытия центрифугированием замедляется из-за быстрого охлаждения за счет испарения растворителя, роста зародышей, увеличения плотности центров зародышеобразования, что помогает сделать растущую пленку более однородной. Наше внимание в этом предварительном исследовании было сосредоточено на изучении нового метода получения фазово-чистого CsPbBr 3 без крошечных отверстий, который был получен с помощью метода, обсуждаемого в работе. Предварительные результаты работы первых солнечных элементов, изготовленных из таких пленок CsPbBr 3 , являются многообещающими.Необходима дальнейшая работа для повышения эффективности устройств и измерения их EQE и EIS, что станет нашим будущим исследованием.

Результаты и обсуждения

Процесс метода с использованием потока газа показан на схеме 1, в которой раствор прекурсора перовскита капают на подложку, а затем начинается прядение. Во время прядения газ выдувается с верхней поверхности, в результате чего образуется однородная пленка.

Схема 1 . N 2 Метод с использованием потока газа для изготовления тонких пленок CsPbBr 3 без пор.

На рис. 1A показан спектр поглощения пленок CsPbBr 3 толщиной ~ 200 нм, осажденных на TiO 2 (d-TiO 2 ) толщиной ~ 70 нм, покрытых оксидом олова, легированным фтором (FTO). Начало поглощения соответствует E G 2,32 эВ, что согласуется с более ранними сообщениями. Пик излучения фотолюминесценции (ФЛ) CsPbBr 3 (нанесенный на голую стеклянную подложку) находится при 530 нм (рис. 1А). Рентгенограмма не показывает наличия различных фаз Cs-Pb-Br, Pb-Br или Cs-Br, т.е.е., в пределах точности этого метода, образовался фазово-чистый CsPbBr 3 . Рентгенограмма порошка эталонного CsPbBr 3 (№ 97851 в базе данных ICSD) показана на рисунке 1B. Все пики на дифрактограммах образцов могут быть идентифицированы как принадлежащие и проиндексированы для CsPbBr 3 , плюс пики от TiO 2 (подложка с маркировкой * ), как показано на рисунке 1B. Такой результат достигается в диапазоне концентраций прекурсора от 0,4 (М) до 0.45 (М), а после отжига при 250 ° С в течение 10 мин. Для концентраций> 0,45 (М) были обнаружены дополнительные пики (рис. 1В), соответствующие Cs 2 PbBr 6 . СЭМ-изображения показывают гладкие пленки без точечных отверстий на плоском FTO с покрытием d-TiO 2 на стеклянной подложке, что можно увидеть в поперечном сечении, показанном на рисунке 1C. СЭМ-изображение поверхности пленки показано на рисунке S1.

Рис. 1. (A) УФ-видимые спектры поглощения и фотолюминесценции (ФЛ) тонкой пленки CsPbBr 3 , полученной с помощью процесса с газовым потоком, на плотном FTO с покрытием TiO 2 на стекле, и на стеклянной подложке, соответственно, (B) XRD-спектры таких пленок CsPbBr 3 на плотной подложке FTO с покрытием TiO 2 с использованием различных концентраций предшественников солей («*» представляют дифракционные пики от d-TiO 2 ) и эталонный порошок CsPbBr 3 (№ 97851 в базе данных ICSD), (C, D) SEM поперечного сечения пленок CsPbBr 3 , полученных методом газового потока (C) и приготовлен двустадийным методом (D) .

Мы сравнили пленки CsPbBr 3 , выращенные с помощью газового потока, с пленками, выращенными двухступенчатым осаждением, обе на предметных стеклах, покрытых FTO. Поперечное сечение СЭМ CsPbBr 3 , изготовленного методом двухэтапного осаждения (Kulbak et al., 2015) на плотном TiO 2 , т.е. d-TiO 2 с покрытием FTO на стекле слайд показан на рисунке 1D (для плоского изображения SEM см. SI, рисунок S2). Пленки, выращенные двухэтапным методом, очень неоднородны и показывают кристаллиты неправильной формы, которые довольно беспорядочно ориентированы на d-TiO 2 на стеклянной подложке, покрытой FTO.Таким образом, мезопористый слой mp-TiO 2 должен был использоваться с двухэтапным методом, чтобы получить разумную эффективность преобразования солнечных элементов CsPbBr 3 , полученных с помощью двухэтапного процесса.

Наличие CsPbBr 3 на мезопористой подложке, хотя и является практическим решением, ограничивает возможности использования других подложек и, прежде всего, возможность изучения самого HaP! Напротив, метод с использованием потока газа позволяет получать гладкие пленки без отверстий на относительно гладких подложках, таких как d-TiO 2 , и, следовательно, мезопористый слой не является необходимым для солнечных элементов.Кроме того, XRD показал, что пленки, выращенные двухступенчатым методом, не являются фазово-чистыми и состоят из смеси CsPbBr 3 , CsPb 2 Br 5 и Cs 4 PbBr 6 (Рисунок S3). .

Для изготовления ячеек использовались пленки CsPbBr 3 (на FTO с покрытием d-TiO 2 ) в конфигурации nip , где TiO 2 служит электронно-транспортным слоем n-типа, а поли-триариламин ( PTAA) в качестве транспортного слоя дырок p-типа.Структура устройства была завершена термическим осаждением 100 нм Au в качестве контакта на PTAA. SEM-изображение поперечного сечения ячейки показано на рисунке 2B. Параметры ячейки (потенциал холостого хода, V OC , плотность тока короткого замыкания, J SC , коэффициент заполнения, FF и эффективность преобразования световой энергии в электрическую) были измерены с использованием моделированного 1 солнечного освещения (AM1.5 ), с имитатором солнечной энергии. Устройство CsPbBr 3 показало КПД 2,5%. Кривые зависимости плотности тока от напряжения (JV) устройства (светлый и темный) показаны на рисунке 2A, а параметры устройства приведены в таблице S1.

Рисунок 2. (A) ВАХ CsPbBr 3 в темноте и при (~ AM1,5G) освещении, (B) Поперечный разрез устройства CsPbBr 3 , (C) Генерация фототока (в точке максимальной мощности) из неинкапсулированных устройств CsPbBr 3 при 1 солнечном освещении в течение> 1 ч, в окружающей среде (воздухе).

Мы провели анализ EBIC на поперечном сечении лучшего устройства, чтобы понять профиль генерации заряда (показанный на рисунке 3) от различных интерфейсов.Из рисунка 3 видно, что генерация заряда происходит по всей пленке CsPbBr 3 . Моделирование траектории электронов методом Монте-Карло показывает, что при 3 кэВ подавляющее большинство электронов достигнет ~ 60 нм от области взаимодействия. Таким образом, диффузионные длины носителей заряда должны превышать ~ 80 нм (толщина пленки минус диаметр объема генерации), что означает, что сигнал EBIC определяется длиной диффузии неосновных носителей заряда, а не объемом взаимодействия электронного пучка с веществом.Это также свидетельствует о хорошем качестве пленок CsPbBr 3 , полученных этим методом.

Рис. 3. (A) Отклик EBIC от поперечного сечения CsPbBr 3 ФЭ устройства , показывающий сигнал через всю толщину пленки, а (B) — соответствующее вторичное электронное изображение устройства (см. Рисунок 2B). Поскольку сигнал EBIC не затухает в активном материале, его толщина устанавливает нижний предел длины диффузии носителей в пленке.

Важность этого метода может быть осознана из чрезвычайно простого и нетребовательного производственного процесса, который поддается оптимизации для производства материалов качества солнечных элементов. Кроме того, стабильность неинкапсулированных устройств отслеживалась путем выдерживания этих устройств в точке максимальной мощности при моделированном освещении AM1.5 в течение 1,5 ч (рис. 2C). Можно заметить, что неинкапсулированное устройство генерировало стабильный фототок в течение периода освещения. В настоящее время мы демонстрируем удовлетворительную неинкапсулированную стабильность, по крайней мере, сравнимую со стабильностью CsPbBr 3 устройств, изготовленных другими методами.В будущем исследование будет также сосредоточено на стабильности солнечных элементов в зависимости от температуры и освещенности. Простой способ, которым широко используемый метод может быть адаптирован для получения того, что мы описываем и иллюстрируем здесь, делает информацию в этом коротком сообщении очень ценной для исследователей, которым требуются такие тонкие пленки для своей работы, будь то академическая или прикладная.

Экспериментальная секция

Производство устройств

Прозрачные проводящие подложки на основе оксида олова (FTO), легированного фтором (F) (Xinyan Technology TCO-XY15), были разрезаны на определенный размер и тщательно очищены ультразвуком в теплом водном растворе алконокса, деионизированной воде, ацетоне и этаноле с последующей сушкой. по потоку N 2 .После обработки кислородной плазмой компактный слой TiO 2 толщиной ~ 60 нм был нанесен на чистую подложку путем пиролиза распылением 30 мМ раствора диизопропоксида титана бис (ацетилацетоната) (Sigma Aldrich) в изопропаноле с использованием воздуха в качестве газа-носителя. нагревательная плита установлена ​​на 450 ° C, после чего следует двухступенчатая процедура отжига при 160 ° C и 500 ° C, каждый в течение 1 часа на воздухе (Kulbak et al., 2015).

Пленки CsPbBr 3 были приготовлены путем добавления потока азота (N 2 ) на определенной стадии процесса, а именно:

Сначала подложки (FTO, покрытые тонким слоем TiO 2 ; размер подложки: 2 см × 2 см) протравливались кислородно-плазменным газом в течение 10 минут для очистки поверхности и улучшения смачиваемости.Сразу после этой обработки подложки помещали в центрифужную машину для нанесения покрытий. После этого к подложке добавляли 250 мкл раствора прекурсора (содержащего различные концентрации как CsBr, так и PbBr 2 , а именно (0,4, 0,45 и 0,5 М)) (FTO, покрытый тонким слоем TiO 2 ). Покрытие центрифугированием было начато немедленно. Покрытие центрифугированием проводилось в два последовательных этапа. В течение первых 10 с скорость прядения составляла 500 об / мин, затем 20 с при 2000 об / мин. После 10 секунд прядения (на втором этапе) , продували газообразный азот (при 0.5 л / мин-литров в минуту) от верхней части центрифуги (вертикально на подложку) в течение 10 с. Метод изготовления пленки с помощью метода газового потока повторяли 25–30 раз, и было обнаружено, что результаты согласуются с SEM и УФ-видимым анализом. Гладкая пленка появлялась после остановки вращения. Вся процедура проводилась в окружающей атмосфере. Для полного изготовления устройства поли [бис (4-фенил) (2,4,6-триметилфенил) амин] (PTAA — Lumtec) наносили методом центрифугирования в течение 5 с при 500 об / мин, а затем 40 с при 2000 об / мин.Для CsPbBr 3 раствор PTAA содержал 12 мг в 1 мл хлорбензола, смешанного с 7,5 мкл трет-бутилпиридина (ТБФ) и 7,5 мкл 170 мг / мл LiTFSI [бис (трифторметан) сульфонамид (в ацетонитриле)]. Образцы оставляли на ночь в темноте (в атмосфере сухого воздуха) перед термическим испарением золотых контактов размером ~ 100 нм через теневую маску с прямоугольными отверстиями 0,24 см 2 . Для двухэтапного осаждения пленок CsPbBr 3 использовали метод, описанный в более ранних исследованиях (Kulbak et al., 2015).

XRD-измерения были выполнены на приборе Rigaku ULTIMA III с медным анодом при 40 кВ и 40 мА. Измерения проводились с использованием конфигурации Брэгга-Брентано через щель 10 мм, конвергентную щель Соллера 5 ° и фильтр «Ni».

Спектры оптического пропускания и отражения пленок измеряли на спектрофотометре Jasco V-570, снабженном интегрирующей сферой. Пропускание было скорректировано на отражение с использованием T corr = T / (1-R). Сканирующий электронный микроскоп Zeiss SUPRA использовался для получения изображений поперечных сечений устройства с помощью SEM и EBIC.

J-V характеристики солнечных элементов были измерены с помощью измерителя источника Keithley 2400-LV и контролировались с помощью программы, написанной на основе Labview. Использовался имитатор солнечной энергии (ScienceTech SF-150; с ксеноновой лампой с короткой дугой мощностью 300 Вт от USHIO Inc., Япония), оснащенный фильтром AM1.5 и откалиброванный с помощью кремниевого солнечного элемента IXOLARTM High Efficiency SolarBIT (IXYS XOB17-12×1). для освещения. Устройства характеризовались через маску 0,16 см 2 . J-V характеристики были сняты после выдержки света в течение 10 с при разомкнутой цепи и скорости сканирования 0.06 В / с (если не указано иное).

Анализ

EBIC был выполнен на сканирующем электронном микроскопе Zeiss-Supra с использованием тока пучка 5 пА и энергии пучка 3 кэВ (Kulbak et al., 2016). Ток собирался и усиливался с помощью предварительного усилителя Stanford Research Systems SR570. Поперечное сечение устройства подвергалось механической обработке сразу (до 2 мин) перед переносом образца в вакуумную камеру SEM (10 -5 мбар).

Выводы

В этом исследовании мы показали, как добавление «газового потока» позволяет изготавливать гладкие, фазово-чистые тонкие пленки CsPbBr 3 на плоской (т.е.е., не мезопористый) субстрат, как показано с помощью анализа SEM и XRD. Такие пленки CsPbBr 3 могут быть использованы для изготовления солнечных элементов планарной архитектуры с конфигурацией n-i-p. Неинкапсулированные солнечные элементы в первых экспериментах показали эффективность преобразования до 2,5% при освещении AM1,5 и были относительно стабильными при постоянном освещении в течение> 1 часа.

Заявление о доступности данных

Все наборы данных, созданные для этого исследования, включены в статью / дополнительные материалы.

Авторские взносы

SG подготовил пленки и охарактеризовал. MK выполнила EBIC и проанализировала результаты. DC помогал в подготовке рукописи и оценке результатов.

Конфликт интересов

Авторы заявляют, что исследование проводилось при отсутствии каких-либо коммерческих или финансовых отношений, которые могут быть истолкованы как потенциальный конфликт интересов.

Благодарности

Мы благодарим Гэри Ходса за обсуждения и доктора Х.Паллави Сингху за помощь в анализе данных дифракции рентгеновских лучей. Частичная поддержка этой исследовательской работы была предоставлена ​​проектом Yotam через Инициативу по исследованиям в области устойчивого развития и энергетики Института Вейцмана, SAERI, а также министерство энергетики и инфраструктуры Израиля.

Дополнительные материалы

Дополнительные материалы к этой статье можно найти в Интернете по адресу: https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fenrg.2020.00100/full#supplementary-material

Сноски

Список литературы

Эдри, Э., Кирмайер, С., Кахен, Д., и Ходес, Г. (2013). Солнечные элементы высокого напряжения холостого хода на основе органо-неорганического перовскита бромида свинца. J. Phys. Chem. Lett . 4, 897–902. DOI: 10.1021 / jz400348q

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Эдри, Э., Кирмайер, С., Кульбак, М., Ходес, Г., и Кахен, Д. (2014). Хлоридные включения и легирование материала для переноса дырок для улучшения высоковольтных солнечных элементов холостого хода на основе перовскита на основе метиламмония и бромида свинца. J. Phys. Chem. Lett . 5, 429–433. DOI: 10.1021 / jz402706q

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Кедем Н., Бреннер Т. М., Кульбак М., Шефер Н., Левченко С., Левин И. и др. (2015). светоиндуцированное увеличение длины диффузии электронов в p – n переходе типа CH 3 NH 3 PbBr 3 перовскитный солнечный элемент. J. Phys. Chem. Lett . 6, 2469–2476. DOI: 10.1021 / acs.jpclett.5b00889

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Кульбак, М., Каэн, Д., и Ходс, Г. (2015). Насколько важна органическая часть фотоэлектрических элементов с галогенидом свинца и перовскитом? Эффективный CsPbBr 3 ячеек. J. Phys. Chem. Lett . 6, 2452–2456. DOI: 10.1021 / acs.jpclett.5b00968

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Кульбак М., Гупта С., Кедем Н., Левин И., Бендиков Т., Ходес Г. и др. (2016). Цезий повышает долговременную стабильность солнечных элементов на основе перовскита на основе бромида свинца. J. Phys.Chem. Lett . 7, 167–172. DOI: 10.1021 / acs.jpclett.5b02597

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Saliba, M., Matsui, T., Seo, J. Y., Domanski, K., Correa-Baena, J. P., Nazeeruddin, M. K., et al. (2016). Цезийсодержащие солнечные элементы из перовскита с тройным катионом: улучшенная стабильность, воспроизводимость и высокая эффективность. Energy Environ. Sci . 9, 1989–1997. DOI: 10.1039 / C5EE03874J

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Стрэнкс, С.D., Eperon, G.E., Grancini, G., Menelaou, C., Alcocer, M.J.P., Leijtens, T., et al. (2013). Диффузионная длина электронных дырок более 1 микрометра в металлоорганическом тригалогенидном перовскитном абсорбере. Наука 342, 341–344. DOI: 10.1126 / science.1243982

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ян В. С., Пак Б. В., Юнг Э. Х., Чон Н. Дж., Ким Ю. К., Ли Д. У. и др. (2017). Управление йодидом в слоях перовскита на основе формамидиния-галогенида свинца для эффективных солнечных элементов. Наука 356, 1376–1379. DOI: 10.1126 / science.aan2301

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Инь, В. Дж., Ши, Т., и Янь, Ю. (2014). Уникальные свойства галогенидных перовскитов как возможные источники превосходных характеристик солнечных элементов. Adv. Материал . 26, 4653–4658. DOI: 10.1002 / adma.201306281

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ю, М., Хуанг, X., Шао, Дж., И Чжан, В. (2018). Новый азотный метод оптимизации активного слоя перовскита в перовскитных солнечных элементах с инвертированным планарным гетеропереходом. IOP Conf. Сер. Матер. Sci. Eng . 446: 012004. DOI: 10.1088 / 1757-899X / 446/1/012004

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Zeng, J., Li, X., Wu, Y., Yang, D., Sun, Z., Song, Z., et al. (2018). Выращивание пленки CsPbBr 3 в условиях ограниченного пространства с получением фотоприемников с высокими характеристиками по всем параметрам. Adv. Funct. Материал . 20, 1804394–1804402. DOI: 10.1002 / adfm.201804394

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Студенческий проект

: как сделать камеру-обскуру

Вам не нужны модные очки или оборудование, чтобы посмотреть одно из самых потрясающих небесных шоу: солнечное затмение.С помощью всего нескольких простых принадлежностей вы можете сделать камеру-обскуру, которая позволит вам безопасно и легко наблюдать солнечное затмение из любого места.

Прежде чем начать, помните: никогда не смотрите прямо на солнце без оборудования, специально предназначенного для наблюдения за солнцем. Даже используя бинокль или телескоп, вы можете серьезно повредить глаза или даже ослепнуть! Сами по себе солнечные затмения безопасны. Но смотреть на что-либо столь же яркое, как солнце, НЕ безопасно без надлежащей защиты. И нет, солнцезащитные очки НЕ в счет.

Оставайтесь в безопасности и наслаждайтесь звездными шоу на солнце, создав свою собственную камеру-обскуру. Это просто! Вот как:

1. Вырежьте квадратное отверстие

Вырежьте квадратное отверстие в середине одной из карточек.

2. Заклейте отверстие изолентой из фольги

Заклейте кусок алюминиевой фольги поверх отверстия.

3. Проделайте отверстие в фольге.

С помощью булавки или канцелярской скрепки проделайте небольшое отверстие в алюминиевой фольге.

4. Попробуйте сами

Поместите второй кусок картона на землю и удерживайте его с алюминиевой фольгой над ним (фольгой вверх). Встаньте так, чтобы солнце было позади вас, и смотрите проецируемое изображение на карточке ниже! Чем дальше вы держите камеру, тем больше будет проецируемое изображение.

Чтобы сделать вашу проекцию более четкой, попробуйте поместить нижнюю часть картона в затененную область, в то время как вы держите другой кусок на солнечном свете.

5. Проявите творческий подход

Для дополнительного удовольствия попробуйте проделать несколько отверстий в фольге, создавая формы, узоры и другие рисунки. Каждая дыра, которую вы создаете, превратится в свою собственную проекцию затмения, создавая изящные эффекты. Возьмите помощника, чтобы сфотографировать ваши проекты для звездного художественного проекта, которым вы сможете наслаждаться даже после того, как затмение закончилось.

Макетная плата (400 отверстий) Перфорированные печатные платы

Все продукты поставляются запечатанными в коробке.Вся продукция тщательно упакована. Перед отправкой мы проверяем всю электронику и контролируем механику всех продуктов. Так что вы никогда не будете разочарованы, когда откроете нашу упаковочную коробку JSumo.

У нас есть 2 варианта доставки:

  • Зарегистрированная авиапочта (фиксированная цена 9,95 долларов США, бесплатно для заказов на сумму более 199 долларов США)
    Экспресс-доставка DHL Worldwide (в зависимости от веса)

Пример расписания для международных перевозок воздушным транспортом Почта

Страны Европы

2-3 недели (иногда меньше)

США

3-4 недели

* Мексика

4-6 недель

Страны Африки

4-6 недель

Япония

2-3 недели

Катар

3-4 недели

Бразилия

3-6 недель

Малайзия

4-5 недель

* Перу, Эквадор, Колумбия

4-6 недель

Филиппины

4-6 недель

Россия

3-4 недели

Саудовская Аравия

3-4 недели

Страны Средней Азии

3-4 недели

Азербайджан

2-3 недели

Монголия, Китай

4-6 недель

Великобритания, Ирландия

3-4 недели

Латвия, Эстония, Литва

3 недели

Канада

2-3 недели

* Доставка из Мексики, Перу, Эквадора и Колумбии может потерять слишком много время в переходах после выхода.

Мы отправляем код доставки, но его можно только отследить внутри вашей страны. Мы предлагаем эти страны для экспресс-доставки DHL (Время прибытия 3-5 дней) для более надежного и отслеживания вариант.

Эти страны — единственные примеры. Если вашей страны нет в список, не бойтесь. Мы отправляем по всему мир включая вашу страну тоже 🙂

Какова ваша политика возврата?

Вы можете вернуть товар для возврата или обмена (если возникла из-за нашей ошибки) в течение 30 дней с даты отправки заказа.(Дата отгрузки заказа и уведомление о заказе отправляются вам по электронной почте). Все возвраты должны сопровождаться номером разрешения на возврат товара (номер заказа).

Если мы отправили вам не тот товар, или он прибыл с дефектом или повреждением

Нет проблем. Просто свяжитесь с нами в течение 30 дней с даты первоначальной доставки товара, чтобы организовать возврат вашей покупки.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.